微电子学
微電子學
미전자학
MICROELECTRONICS
2007年
6期
838-841
,共4页
SOI MOSFET量子效应%阈值电压%反型层
SOI MOSFET量子效應%閾值電壓%反型層
SOI MOSFET양자효응%역치전압%반형층
针对纳米器件中出现的量子化效应,考虑了薄层全耗尽SOI MOSFET沟道反型层电子的量子化,研究了反型层量子化效应对阈值电压的影响.结果表明,沟道反型层的量子化效应导致阈值电压增大,推导并给出了纳米尺度全耗尽SOI MOSFET的阈值电压修正模型.
針對納米器件中齣現的量子化效應,攷慮瞭薄層全耗儘SOI MOSFET溝道反型層電子的量子化,研究瞭反型層量子化效應對閾值電壓的影響.結果錶明,溝道反型層的量子化效應導緻閾值電壓增大,推導併給齣瞭納米呎度全耗儘SOI MOSFET的閾值電壓脩正模型.
침대납미기건중출현적양자화효응,고필료박층전모진SOI MOSFET구도반형층전자적양자화,연구료반형층양자화효응대역치전압적영향.결과표명,구도반형층적양자화효응도치역치전압증대,추도병급출료납미척도전모진SOI MOSFET적역치전압수정모형.
