西安交通大学学报
西安交通大學學報
서안교통대학학보
JOURNAL OF XI'AN JIAOTONG UNIVERSITY
2008年
8期
977-981
,共5页
盛兆玄%冯玉军%徐卓%孙新利%黄璇
盛兆玄%馮玉軍%徐卓%孫新利%黃璇
성조현%풍옥군%서탁%손신리%황선
反铁电陶瓷%电子发射%发射电流密度
反鐵電陶瓷%電子髮射%髮射電流密度
반철전도자%전자발사%발사전류밀도
采用固态烧结工艺制备了位于反铁电/铁电相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反铁电陶瓷样品.通过测定样品在快速单脉冲电压激励下的电子发射特性,得到了激励电压对发射电流的影响规律,发射电流随激励电压增加而增加,当激励电压大于1.5 kV时,发射电流趋于饱和.在单脉冲激励下进行电子发射实验,得到如下结果:在激励电压为800 V、抽取电压为0 V的条件下,发射电流密度为1.27 A/cm2;当抽取电压增加到4 kV时,获得了1 700 A/cm2的大发射电流密度.研究结果表明,室温下PLZST的反铁电陶瓷可在较低激励电压下实现电子发射,发射电流密度大,能够工作于4 Pa的低真空环境中.
採用固態燒結工藝製備瞭位于反鐵電/鐵電相界附近的PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)反鐵電陶瓷樣品.通過測定樣品在快速單脈遲電壓激勵下的電子髮射特性,得到瞭激勵電壓對髮射電流的影響規律,髮射電流隨激勵電壓增加而增加,噹激勵電壓大于1.5 kV時,髮射電流趨于飽和.在單脈遲激勵下進行電子髮射實驗,得到如下結果:在激勵電壓為800 V、抽取電壓為0 V的條件下,髮射電流密度為1.27 A/cm2;噹抽取電壓增加到4 kV時,穫得瞭1 700 A/cm2的大髮射電流密度.研究結果錶明,室溫下PLZST的反鐵電陶瓷可在較低激勵電壓下實現電子髮射,髮射電流密度大,能夠工作于4 Pa的低真空環境中.
채용고태소결공예제비료위우반철전/철전상계부근적PbLa(Zr,Sn,Ti)O3(PLZST)반철전도자양품.통과측정양품재쾌속단맥충전압격려하적전자발사특성,득도료격려전압대발사전류적영향규률,발사전류수격려전압증가이증가,당격려전압대우1.5 kV시,발사전류추우포화.재단맥충격려하진행전자발사실험,득도여하결과:재격려전압위800 V、추취전압위0 V적조건하,발사전류밀도위1.27 A/cm2;당추취전압증가도4 kV시,획득료1 700 A/cm2적대발사전류밀도.연구결과표명,실온하PLZST적반철전도자가재교저격려전압하실현전자발사,발사전류밀도대,능구공작우4 Pa적저진공배경중.