发光学报
髮光學報
발광학보
CHINESE JOURNAL OF LUMINESCENCE
2011年
12期
1281-1285
,共5页
张浩%张良%李俊%蒋雪茵%张志林%张建华
張浩%張良%李俊%蔣雪茵%張誌林%張建華
장호%장량%리준%장설인%장지림%장건화
薄膜晶体管%ZnO%稳定性%退火
薄膜晶體管%ZnO%穩定性%退火
박막정체관%ZnO%은정성%퇴화
制备了两种以SiO2为绝缘层的底栅ZnO薄膜晶体管,分别以未退火和退火处理的ZnO薄膜作为有源层.与未退火处理的ZnO薄膜晶体管相比,退火处理的ZnO薄膜晶体管的饱和迁移率由2.3 cm2/(V·s)增大至3.12 cm2/(V·s),阈值电压由20.8V减小至9.9V,亚阈值摆幅由2.6 V/dec减小至1.9 V/dec.25 V直流电压施加3600s后,未退火器件的阈值电压变化达到8V,而退火处理的器件的阈值电压变化仅为3.4V.实验结果表明,对有源层退火处理有利于提升ZnO-TFT器件的电学性能和偏压稳定性.
製備瞭兩種以SiO2為絕緣層的底柵ZnO薄膜晶體管,分彆以未退火和退火處理的ZnO薄膜作為有源層.與未退火處理的ZnO薄膜晶體管相比,退火處理的ZnO薄膜晶體管的飽和遷移率由2.3 cm2/(V·s)增大至3.12 cm2/(V·s),閾值電壓由20.8V減小至9.9V,亞閾值襬幅由2.6 V/dec減小至1.9 V/dec.25 V直流電壓施加3600s後,未退火器件的閾值電壓變化達到8V,而退火處理的器件的閾值電壓變化僅為3.4V.實驗結果錶明,對有源層退火處理有利于提升ZnO-TFT器件的電學性能和偏壓穩定性.
제비료량충이SiO2위절연층적저책ZnO박막정체관,분별이미퇴화화퇴화처리적ZnO박막작위유원층.여미퇴화처리적ZnO박막정체관상비,퇴화처리적ZnO박막정체관적포화천이솔유2.3 cm2/(V·s)증대지3.12 cm2/(V·s),역치전압유20.8V감소지9.9V,아역치파폭유2.6 V/dec감소지1.9 V/dec.25 V직류전압시가3600s후,미퇴화기건적역치전압변화체도8V,이퇴화처리적기건적역치전압변화부위3.4V.실험결과표명,대유원층퇴화처리유리우제승ZnO-TFT기건적전학성능화편압은정성.
