半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2008年
11期
937-940,951
,共5页
绝缘栅双极晶体管%专利%碳化硅%掺砷
絕緣柵雙極晶體管%專利%碳化硅%摻砷
절연책쌍겁정체관%전리%탄화규%참신
绝缘栅双极晶体管(IGBT)自问世以来,在结构设计、加工工艺和应用开发等方面得到了很大的发展.概述了IGBT的一般结构和发展历史,着重介绍了近年来几个专利技术中IGBT结构设计和制造方面的新进展.特别是宽禁带半导体材料SiC的异军突起,为IGBT技术开辟了一个新的发展空间.
絕緣柵雙極晶體管(IGBT)自問世以來,在結構設計、加工工藝和應用開髮等方麵得到瞭很大的髮展.概述瞭IGBT的一般結構和髮展歷史,著重介紹瞭近年來幾箇專利技術中IGBT結構設計和製造方麵的新進展.特彆是寬禁帶半導體材料SiC的異軍突起,為IGBT技術開闢瞭一箇新的髮展空間.
절연책쌍겁정체관(IGBT)자문세이래,재결구설계、가공공예화응용개발등방면득도료흔대적발전.개술료IGBT적일반결구화발전역사,착중개소료근년래궤개전리기술중IGBT결구설계화제조방면적신진전.특별시관금대반도체재료SiC적이군돌기,위IGBT기술개벽료일개신적발전공간.
