微处理机
微處理機
미처리궤
MICROPROCESSORS
2010年
1期
23-26
,共4页
亢喆%黎威志%袁凯%蒋亚东
亢喆%黎威誌%袁凱%蔣亞東
항철%려위지%원개%장아동
等离子增强化学气相淀积%氧化硅%淀积速率%折射率
等離子增彊化學氣相澱積%氧化硅%澱積速率%摺射率
등리자증강화학기상정적%양화규%정적속솔%절사솔
研究了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备非晶SiO2薄膜的工艺.系统地研究了反应气体流量比、射频功率、淀积腔内压强、淀积时间等工艺条件对SiO2薄膜质量的影响,采用椭偏仪测量了不同工艺条件下淀积的SiO2薄膜的厚度和折射率.根据以上测试结果分析了各工艺参数对SiO2薄膜淀积速率、折射率以及均匀性的影响规律,并定性讨论了其机理.找到了比较合适的制备高均匀性和典型折射率SiO2薄膜的工艺参数.
研究瞭等離子增彊化學氣相澱積(PECVD)製備非晶SiO2薄膜的工藝.繫統地研究瞭反應氣體流量比、射頻功率、澱積腔內壓彊、澱積時間等工藝條件對SiO2薄膜質量的影響,採用橢偏儀測量瞭不同工藝條件下澱積的SiO2薄膜的厚度和摺射率.根據以上測試結果分析瞭各工藝參數對SiO2薄膜澱積速率、摺射率以及均勻性的影響規律,併定性討論瞭其機理.找到瞭比較閤適的製備高均勻性和典型摺射率SiO2薄膜的工藝參數.
연구료등리자증강화학기상정적(PECVD)제비비정SiO2박막적공예.계통지연구료반응기체류량비、사빈공솔、정적강내압강、정적시간등공예조건대SiO2박막질량적영향,채용타편의측량료불동공예조건하정적적SiO2박막적후도화절사솔.근거이상측시결과분석료각공예삼수대SiO2박막정적속솔、절사솔이급균균성적영향규률,병정성토론료기궤리.조도료비교합괄적제비고균균성화전형절사솔SiO2박막적공예삼수.
