固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2011年
2期
111-114
,共4页
余旭明%张斌%陈堂胜%任春江
餘旭明%張斌%陳堂勝%任春江
여욱명%장빈%진당성%임춘강
铝镓氮/氮化镓%氮化镓功率放大器%宽带%6～18 GHz%微波单片集成电路
鋁鎵氮/氮化鎵%氮化鎵功率放大器%寬帶%6～18 GHz%微波單片集成電路
려가담/담화가%담화가공솔방대기%관대%6～18 GHz%미파단편집성전로
报道了一款采用三级拓扑结构的6～18 GHz宽带单片微波功率放大器芯片.放大器采用了微带结构,并使用电抗匹配进行设计,减小输出匹配电路的损耗和提高效率.经匹配优化后放大器在6～18 GHz整个频带内脉冲输出功率大于6 W,小信号增益达到25 dB,在14 GHz频点处峰值输出功率达到10 w,对应的功率附加效率为21%.放大器芯片采用南京电子器件研究所的0.25/μm GaN HEMT 76.2 mm圆片工艺制造,尺寸为2.3 mm×1.1mm.
報道瞭一款採用三級拓撲結構的6～18 GHz寬帶單片微波功率放大器芯片.放大器採用瞭微帶結構,併使用電抗匹配進行設計,減小輸齣匹配電路的損耗和提高效率.經匹配優化後放大器在6～18 GHz整箇頻帶內脈遲輸齣功率大于6 W,小信號增益達到25 dB,在14 GHz頻點處峰值輸齣功率達到10 w,對應的功率附加效率為21%.放大器芯片採用南京電子器件研究所的0.25/μm GaN HEMT 76.2 mm圓片工藝製造,呎吋為2.3 mm×1.1mm.
보도료일관채용삼급탁복결구적6～18 GHz관대단편미파공솔방대기심편.방대기채용료미대결구,병사용전항필배진행설계,감소수출필배전로적손모화제고효솔.경필배우화후방대기재6～18 GHz정개빈대내맥충수출공솔대우6 W,소신호증익체도25 dB,재14 GHz빈점처봉치수출공솔체도10 w,대응적공솔부가효솔위21%.방대기심편채용남경전자기건연구소적0.25/μm GaN HEMT 76.2 mm원편공예제조,척촌위2.3 mm×1.1mm.
