半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
2期
159-163
,共5页
王帅%李科%陈蕾%姜一波%龚鸿雁%杜寰%韩郑生
王帥%李科%陳蕾%薑一波%龔鴻雁%杜寰%韓鄭生
왕수%리과%진뢰%강일파%공홍안%두환%한정생
LDMOS%小信号模型%去嵌入%参数提取%曲线拟合
LDMOS%小信號模型%去嵌入%參數提取%麯線擬閤
LDMOS%소신호모형%거감입%삼수제취%곡선의합
准确地提取RF-LDMOS小信号模型参数对LDMOS大信号模型建模十分重要,而且好的小信号模型能很好地反映微波器件的性能.针对LDMOS提出了一种改进的小信号模型参数提取方法,此方法增加了测试结构的建模和参数提取,极大地方便了S参数曲线的拟合,而且对于测试版图的研究有一定的指导意义.由此方法提取的小信号模型与实验测试数据在0.1～8 GHz拟合的很好,并且准确地预测了器件的特征频率.该模型和方法能够很好的适用于LDMOS的L,S波段小信号建模和参数提取.
準確地提取RF-LDMOS小信號模型參數對LDMOS大信號模型建模十分重要,而且好的小信號模型能很好地反映微波器件的性能.針對LDMOS提齣瞭一種改進的小信號模型參數提取方法,此方法增加瞭測試結構的建模和參數提取,極大地方便瞭S參數麯線的擬閤,而且對于測試版圖的研究有一定的指導意義.由此方法提取的小信號模型與實驗測試數據在0.1～8 GHz擬閤的很好,併且準確地預測瞭器件的特徵頻率.該模型和方法能夠很好的適用于LDMOS的L,S波段小信號建模和參數提取.
준학지제취RF-LDMOS소신호모형삼수대LDMOS대신호모형건모십분중요,이차호적소신호모형능흔호지반영미파기건적성능.침대LDMOS제출료일충개진적소신호모형삼수제취방법,차방법증가료측시결구적건모화삼수제취,겁대지방편료S삼수곡선적의합,이차대우측시판도적연구유일정적지도의의.유차방법제취적소신호모형여실험측시수거재0.1～8 GHz의합적흔호,병차준학지예측료기건적특정빈솔.해모형화방법능구흔호적괄용우LDMOS적L,S파단소신호건모화삼수제취.
