CAJ | 학술논문

本文主要研究了EDI(Electrodeionization)对高纯水中硅、硼的脱除方法.通过对电压、进水电导率(淡室、浓室)、流量(淡室、浓室、极室)、pH值等因素的研究,得出EDI最佳脱硅、硼条件.EDI进水SiO2浓度为1000μg/L,最佳出水硅为2.66μg/L,为目前国内最好水平.EDI进水硼浓度为50μg/L,最佳出水中硼含量为＜1μg/L.满足了大规模集成电路用水中硅、硼的要求(对于兆位电路硅要求＜3μg/L,硼要求＜1μg/L).
본문주요연구료EDI(Electrodeionization)대고순수중규、붕적탈제방법.통과대전압、진수전도솔(담실、농실)、류량(담실、농실、겁실)、pH치등인소적연구,득출EDI최가탈규、붕조건.EDI진수SiO2농도위1000μg/L,최가출수규위2.66μg/L,위목전국내최호수평.EDI진수붕농도위50μg/L,최가출수중붕함량위＜1μg/L.만족료대규모집성전로용수중규、붕적요구(대우조위전로규요구＜3μg/L,붕요구＜1μg/L).