半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
4期
553-557
,共5页
邓书康%唐新峰%熊聪%张清杰
鄧書康%唐新峰%熊聰%張清傑
산서강%당신봉%웅총%장청걸
Ⅰ-型笼合物%Seebeck系数%电导率
Ⅰ-型籠閤物%Seebeck繫數%電導率
Ⅰ-형롱합물%Seebeck계수%전도솔
用固相反应法结合熔融法合成Zn掺杂单相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化合物,探索Zn在Si位的取代对其结构及电传输特性的影响规律.研究结果表明:x=1时化合物的平均键角畸变△θ最大为4.4°;当取代分数x=0,2,4时,对应样品的电导率明显高于x=1,3时对应样品的电导率,在室温附近,Ba8Ga16Zn2Si28化合物表现出较高的电导率,约为3.0×105 S/m,当x=1时,对应化合物的电导率在测试温度范围内最低;当取代分数x=0,2,4时对应样品的Seebeck系数明显高于x=1,3时对应样品的Seebeck系数,且随着填充分数的增加,Seebeck系数分别逐渐降低;Ba8Ga16Zn2Si28化合物在测试温度范围内表现出较好的电性能,在1000K处具有最大的功率因子1.03×10-3 W/(m·K2).
用固相反應法結閤鎔融法閤成Zn摻雜單相n型Ba8Ga16ZnxSi30-x化閤物,探索Zn在Si位的取代對其結構及電傳輸特性的影響規律.研究結果錶明:x=1時化閤物的平均鍵角畸變△θ最大為4.4°;噹取代分數x=0,2,4時,對應樣品的電導率明顯高于x=1,3時對應樣品的電導率,在室溫附近,Ba8Ga16Zn2Si28化閤物錶現齣較高的電導率,約為3.0×105 S/m,噹x=1時,對應化閤物的電導率在測試溫度範圍內最低;噹取代分數x=0,2,4時對應樣品的Seebeck繫數明顯高于x=1,3時對應樣品的Seebeck繫數,且隨著填充分數的增加,Seebeck繫數分彆逐漸降低;Ba8Ga16Zn2Si28化閤物在測試溫度範圍內錶現齣較好的電性能,在1000K處具有最大的功率因子1.03×10-3 W/(m·K2).
용고상반응법결합용융법합성Zn참잡단상n형Ba8Ga16ZnxSi30-x화합물,탐색Zn재Si위적취대대기결구급전전수특성적영향규률.연구결과표명:x=1시화합물적평균건각기변△θ최대위4.4°;당취대분수x=0,2,4시,대응양품적전도솔명현고우x=1,3시대응양품적전도솔,재실온부근,Ba8Ga16Zn2Si28화합물표현출교고적전도솔,약위3.0×105 S/m,당x=1시,대응화합물적전도솔재측시온도범위내최저;당취대분수x=0,2,4시대응양품적Seebeck계수명현고우x=1,3시대응양품적Seebeck계수,차수착전충분수적증가,Seebeck계수분별축점강저;Ba8Ga16Zn2Si28화합물재측시온도범위내표현출교호적전성능,재1000K처구유최대적공솔인자1.03×10-3 W/(m·K2).
