物理学报
物理學報
물이학보
2007年
4期
2369-2376
,共8页
谷建峰%刘志文%刘明%付伟佳%马春雨%张庆瑜
穀建峰%劉誌文%劉明%付偉佳%馬春雨%張慶瑜
곡건봉%류지문%류명%부위가%마춘우%장경유
ZnO薄膜%反应射频磁控溅射%两步生长%形貌分析
ZnO薄膜%反應射頻磁控濺射%兩步生長%形貌分析
ZnO박막%반응사빈자공천사%량보생장%형모분석
利用反应射频磁控溅射技术,采用两步生长方法制备了ZnO薄膜,探讨了基片刻蚀时间和低温过渡层沉积时间对ZnO薄膜生长行为的影响.研究结果表明,低温ZnO过渡层的沉积时间所导致的薄膜表面形貌的变化与过渡层在Si(001)表面的覆盖度有关.当低温过渡层尚未完全覆盖基片表面时,ZnO薄膜的表面岛尺度较小、表面粗糙度较大,薄膜应力较大;当低温过渡层完全覆盖Si(001)基片后,ZnO薄膜的表面岛尺度较大、表面粗糙度较小,薄膜应力较小.基片刻蚀时间对薄膜表面形貌的影响与低温过渡层的成核密度有关.随着刻蚀时间的增加,ZnO薄膜的表面粗糙度逐渐下降,表面形貌自仿射结构的关联长度逐渐减小.
利用反應射頻磁控濺射技術,採用兩步生長方法製備瞭ZnO薄膜,探討瞭基片刻蝕時間和低溫過渡層沉積時間對ZnO薄膜生長行為的影響.研究結果錶明,低溫ZnO過渡層的沉積時間所導緻的薄膜錶麵形貌的變化與過渡層在Si(001)錶麵的覆蓋度有關.噹低溫過渡層尚未完全覆蓋基片錶麵時,ZnO薄膜的錶麵島呎度較小、錶麵粗糙度較大,薄膜應力較大;噹低溫過渡層完全覆蓋Si(001)基片後,ZnO薄膜的錶麵島呎度較大、錶麵粗糙度較小,薄膜應力較小.基片刻蝕時間對薄膜錶麵形貌的影響與低溫過渡層的成覈密度有關.隨著刻蝕時間的增加,ZnO薄膜的錶麵粗糙度逐漸下降,錶麵形貌自倣射結構的關聯長度逐漸減小.
이용반응사빈자공천사기술,채용량보생장방법제비료ZnO박막,탐토료기편각식시간화저온과도층침적시간대ZnO박막생장행위적영향.연구결과표명,저온ZnO과도층적침적시간소도치적박막표면형모적변화여과도층재Si(001)표면적복개도유관.당저온과도층상미완전복개기편표면시,ZnO박막적표면도척도교소、표면조조도교대,박막응력교대;당저온과도층완전복개Si(001)기편후,ZnO박막적표면도척도교대、표면조조도교소,박막응력교소.기편각식시간대박막표면형모적영향여저온과도층적성핵밀도유관.수착각식시간적증가,ZnO박막적표면조조도축점하강,표면형모자방사결구적관련장도축점감소.
