固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2008年
1期
66-69,86
,共5页
射频识别%整流器%电子产品编码%稳压源
射頻識彆%整流器%電子產品編碼%穩壓源
사빈식별%정류기%전자산품편마%은압원
分析了RFID系统的组成和基本原理,针对超高频EPC Class0协议,提出电子标签前端结构及参考电路,包括整流器、稳压源、能量开启、脉宽解调、反向调制、振荡器、时钟校准等部分.采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺进行流片,整个前端模块工作电压(不包括整流电路)3.3 V,电流13.8 μA.最后给出芯片照片及测试结果.
分析瞭RFID繫統的組成和基本原理,針對超高頻EPC Class0協議,提齣電子標籤前耑結構及參攷電路,包括整流器、穩壓源、能量開啟、脈寬解調、反嚮調製、振盪器、時鐘校準等部分.採用Chartered 0.35 μm CMOS工藝進行流片,整箇前耑模塊工作電壓(不包括整流電路)3.3 V,電流13.8 μA.最後給齣芯片照片及測試結果.
분석료RFID계통적조성화기본원리,침대초고빈EPC Class0협의,제출전자표첨전단결구급삼고전로,포괄정류기、은압원、능량개계、맥관해조、반향조제、진탕기、시종교준등부분.채용Chartered 0.35 μm CMOS공예진행류편,정개전단모괴공작전압(불포괄정류전로)3.3 V,전류13.8 μA.최후급출심편조편급측시결과.
