CAJ | 학술논문

用MOCVD 技术在(0001)蓝宝石衬底上成功研制了2寸衬底上无裂纹的AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料.研究了AlxGa1-xN/AlN超晶格材料特性. 结果表明,缓冲层材料和结构对AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格的表面型貌和界面特性有很大的影响.AFM研究表明利用GaN做支撑层生长的AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料是一种准二维生长模式.XRD和SEM研究表明研制的材料表面平整、界面清晰、并且材料具有完整的周期重复性.利用紫外-可见光谱仪反射谱研究表明研制的30对AlN/Al0.3Ga0.7N超晶格材料在中心波长为313nm的紫外波段具有93.5%的反射率.
용MOCVD 기술재(0001)람보석츤저상성공연제료2촌츤저상무렬문적AlN/Al0.3Ga0.7N초정격재료.연구료AlxGa1-xN/AlN초정격재료특성. 결과표명,완충층재료화결구대AlN/Al0.3Ga0.7N초정격적표면형모화계면특성유흔대적영향.AFM연구표명이용GaN주지탱층생장적AlN/Al0.3Ga0.7N초정격재료시일충준이유생장모식.XRD화SEM연구표명연제적재료표면평정、계면청석、병차재료구유완정적주기중복성.이용자외-가견광보의반사보연구표명연제적30대AlN/Al0.3Ga0.7N초정격재료재중심파장위313nm적자외파단구유93.5%적반사솔.