半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2010年
12期
1170-1173
,共4页
氧化镉%薄膜%射频磁控溅射%方块电阻%电阻率
氧化鎘%薄膜%射頻磁控濺射%方塊電阻%電阻率
양화력%박막%사빈자공천사%방괴전조%전조솔
随着透明电子器件和柔性显示器的发展,柔性透明导电薄膜正在受到越来越多的关注.采用射频磁控溅射法在柔性衬底上低温沉积高透过率、低电阻率的CdO薄膜.研究了O2流量对薄膜的结晶性能、光学性质和导电性能的影响.研究结果表明,室温下沉积的CdO薄膜均为结晶性能良好的立方结构薄膜,(200)取向性明显.另一方面,O2流量对CdO薄膜的光电性能有很大的影响.O2流量过小时,薄膜的透光率较差,而当O2流量较大时,薄膜的电阻率较大,当O2流量大于3 cm3/min时,光学透光率不再有大的变化.
隨著透明電子器件和柔性顯示器的髮展,柔性透明導電薄膜正在受到越來越多的關註.採用射頻磁控濺射法在柔性襯底上低溫沉積高透過率、低電阻率的CdO薄膜.研究瞭O2流量對薄膜的結晶性能、光學性質和導電性能的影響.研究結果錶明,室溫下沉積的CdO薄膜均為結晶性能良好的立方結構薄膜,(200)取嚮性明顯.另一方麵,O2流量對CdO薄膜的光電性能有很大的影響.O2流量過小時,薄膜的透光率較差,而噹O2流量較大時,薄膜的電阻率較大,噹O2流量大于3 cm3/min時,光學透光率不再有大的變化.
수착투명전자기건화유성현시기적발전,유성투명도전박막정재수도월래월다적관주.채용사빈자공천사법재유성츤저상저온침적고투과솔、저전조솔적CdO박막.연구료O2류량대박막적결정성능、광학성질화도전성능적영향.연구결과표명,실온하침적적CdO박막균위결정성능량호적립방결구박막,(200)취향성명현.령일방면,O2류량대CdO박막적광전성능유흔대적영향.O2류량과소시,박막적투광솔교차,이당O2류량교대시,박막적전조솔교대,당O2류량대우3 cm3/min시,광학투광솔불재유대적변화.