表面技术
錶麵技術
표면기술
SURFACE TECHNOLOGY
2011年
4期
34-37,54
,共5页
尚魁平%冶艳%葛培林%江利%鲍明东
尚魁平%冶豔%葛培林%江利%鮑明東
상괴평%야염%갈배림%강리%포명동
非晶碳膜%磁控溅射%微观结构%电阻率
非晶碳膜%磁控濺射%微觀結構%電阻率
비정탄막%자공천사%미관결구%전조솔
在单晶Si (100)基体上,采用闭合场非平衡磁控溅射方法沉积制备了导电非晶碳膜.X射线衍射(XRD)分析表明薄膜呈明显的非晶结构；用XPS分析了薄膜中的碳键结构,碳膜的C1s峰位于284～285 eV之间,Cls峰分峰拟舍得出sp2C的原子数分数为59％左右,碳键以sp2结构为主；四探针法测得薄膜的电阻率为1.32×10-6Ω·m.可以认为:制备的碳膜是以sp2结构为主的类石墨非晶态薄膜.
在單晶Si (100)基體上,採用閉閤場非平衡磁控濺射方法沉積製備瞭導電非晶碳膜.X射線衍射(XRD)分析錶明薄膜呈明顯的非晶結構；用XPS分析瞭薄膜中的碳鍵結構,碳膜的C1s峰位于284～285 eV之間,Cls峰分峰擬捨得齣sp2C的原子數分數為59％左右,碳鍵以sp2結構為主；四探針法測得薄膜的電阻率為1.32×10-6Ω·m.可以認為:製備的碳膜是以sp2結構為主的類石墨非晶態薄膜.
재단정Si (100)기체상,채용폐합장비평형자공천사방법침적제비료도전비정탄막.X사선연사(XRD)분석표명박막정명현적비정결구；용XPS분석료박막중적탄건결구,탄막적C1s봉위우284～285 eV지간,Cls봉분봉의사득출sp2C적원자수분수위59％좌우,탄건이sp2결구위주；사탐침법측득박막적전조솔위1.32×10-6Ω·m.가이인위:제비적탄막시이sp2결구위주적류석묵비정태박막.
