半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2012年
4期
288-290,325
,共4页
焦岗成%刘正堂%石峰%徐晓兵%胡仓陆
焦崗成%劉正堂%石峰%徐曉兵%鬍倉陸
초강성%류정당%석봉%서효병%호창륙
X射线衍射%晶格失配%GaInAs%渐变缓冲层%倒易空间衍射
X射線衍射%晶格失配%GaInAs%漸變緩遲層%倒易空間衍射
X사선연사%정격실배%GaInAs%점변완충층%도역공간연사
用分子束外延方法制备了具有GaInAs组分渐变缓冲层和不具有GaInAs组分渐变缓冲层的Ga0.9In0.1As/GaAs结构的外延材料.利用高分辨率X射线衍射法(HRXRD)对制备的两种样品分别进行了测试分析.实验结果表明,GaInAs组分渐变缓冲层对外延生长在GaAs衬底上的Ga0.9In0.1As外延材料的晶体质量具有显著的改善作用,极大降低了由于外延层与衬底晶格不匹配所带来的影响.从X射线倒易空间衍射( RSM)二维图谱结果来看,具有GaInAs组分渐变缓冲层结构的样品,其Ga0.9In0.1As外延层与GaInAs组分渐变缓冲层接近完全弛豫,Ga0.9In0.1As外延层的应变降低,表面残留应力小于0.06％,同时,GaAs衬底与Ga0.9In0.1 As外延层之间的偏移夹角明显变小.
用分子束外延方法製備瞭具有GaInAs組分漸變緩遲層和不具有GaInAs組分漸變緩遲層的Ga0.9In0.1As/GaAs結構的外延材料.利用高分辨率X射線衍射法(HRXRD)對製備的兩種樣品分彆進行瞭測試分析.實驗結果錶明,GaInAs組分漸變緩遲層對外延生長在GaAs襯底上的Ga0.9In0.1As外延材料的晶體質量具有顯著的改善作用,極大降低瞭由于外延層與襯底晶格不匹配所帶來的影響.從X射線倒易空間衍射( RSM)二維圖譜結果來看,具有GaInAs組分漸變緩遲層結構的樣品,其Ga0.9In0.1As外延層與GaInAs組分漸變緩遲層接近完全弛豫,Ga0.9In0.1As外延層的應變降低,錶麵殘留應力小于0.06％,同時,GaAs襯底與Ga0.9In0.1 As外延層之間的偏移夾角明顯變小.
용분자속외연방법제비료구유GaInAs조분점변완충층화불구유GaInAs조분점변완충층적Ga0.9In0.1As/GaAs결구적외연재료.이용고분변솔X사선연사법(HRXRD)대제비적량충양품분별진행료측시분석.실험결과표명,GaInAs조분점변완충층대외연생장재GaAs츤저상적Ga0.9In0.1As외연재료적정체질량구유현저적개선작용,겁대강저료유우외연층여츤저정격불필배소대래적영향.종X사선도역공간연사( RSM)이유도보결과래간,구유GaInAs조분점변완충층결구적양품,기Ga0.9In0.1As외연층여GaInAs조분점변완충층접근완전이예,Ga0.9In0.1As외연층적응변강저,표면잔류응력소우0.06％,동시,GaAs츤저여Ga0.9In0.1 As외연층지간적편이협각명현변소.
