Ga/N共掺杂对InSb电子结构的影响
Ga/N공참잡대InSb전자결구적영향
The effect of Ga/N co-doping on electronic structure of InSb
  • 万方数据
    红外与毫米波学报 홍외여호미파학보
    JOURNAL OF INFRARED AND MILLIMETER WAVES
    2012年 3期 231-234 ,共4页

    张会媛%邢怀中%张蕾

    장회원%형부중%장뢰

    电子结构%Ga/N共掺杂%InSb 電子結構%Ga/N共摻雜%InSb
    전자결구%Ga/N공참잡%InSb
    利用基于密度泛函理论的第一性原理赝势方法,研究了Ga和N共掺杂闪锌矿InSb半导体的电子结构和电子性质.研究发现单独掺杂Ga或N对InSb带隙的影响较小.在共掺杂Ga/N的情况下,当Ga/N浓度增加时对InSb的带隙影响明显.这些理论结果对半导体材料的能带工程提供了一定的参考价值.
    이용기우밀도범함이론적제일성원리안세방법,연구료Ga화N공참잡섬자광InSb반도체적전자결구화전자성질.연구발현단독참잡Ga혹N대InSb대극적영향교소.재공참잡Ga/N적정황하,당Ga/N농도증가시대InSb적대극영향명현.저사이론결과대반도체재료적능대공정제공료일정적삼고개치.
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