固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2012年
4期
380-385
,共6页
乔丽萍%靳钊%王江安%刘泽国
喬麗萍%靳釗%王江安%劉澤國
교려평%근쇠%왕강안%류택국
射频识别%电荷泵%能量转换效率%射频前端
射頻識彆%電荷泵%能量轉換效率%射頻前耑
사빈식별%전하빙%능량전환효솔%사빈전단
提出了一种满足ISO/IEC 18000-6C标准的无源超高频RFID(射频识别)标签芯片的射频前端结构,该结构包括高效率电荷泵、解调器、调制器、阻抗匹配网络和ESD保护电路.电荷泵通过阈值补偿原理及精确控制补偿电压有效抑制反向漏电流,消除了传统电荷泵中的阈值损失.芯片经TSMC 0.18 μm CMOS mixed signal工艺流片,实测结果表明,标签最远读距离达7m,写距离为3m,可应用于识别与定位,同时满足HBM 2 000 V的抗静电指标.
提齣瞭一種滿足ISO/IEC 18000-6C標準的無源超高頻RFID(射頻識彆)標籤芯片的射頻前耑結構,該結構包括高效率電荷泵、解調器、調製器、阻抗匹配網絡和ESD保護電路.電荷泵通過閾值補償原理及精確控製補償電壓有效抑製反嚮漏電流,消除瞭傳統電荷泵中的閾值損失.芯片經TSMC 0.18 μm CMOS mixed signal工藝流片,實測結果錶明,標籤最遠讀距離達7m,寫距離為3m,可應用于識彆與定位,同時滿足HBM 2 000 V的抗靜電指標.
제출료일충만족ISO/IEC 18000-6C표준적무원초고빈RFID(사빈식별)표첨심편적사빈전단결구,해결구포괄고효솔전하빙、해조기、조제기、조항필배망락화ESD보호전로.전하빙통과역치보상원리급정학공제보상전압유효억제반향루전류,소제료전통전하빙중적역치손실.심편경TSMC 0.18 μm CMOS mixed signal공예류편,실측결과표명,표첨최원독거리체7m,사거리위3m,가응용우식별여정위,동시만족HBM 2 000 V적항정전지표.
