半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2004年
4期
48-51
,共4页
吕海涛%张维连%左燕%步云英
呂海濤%張維連%左燕%步雲英
려해도%장유련%좌연%보운영
蓝宝石单晶%位错%化学腐蚀
藍寶石單晶%位錯%化學腐蝕
람보석단정%위착%화학부식
采用化学腐蚀-金相显微镜法和SEM法观察了CZ法生长的直径50mm的蓝宝石单晶中的位错缺陷.发现位错分布状况为中心较低、边缘较高,密度大约为104～10 5cm-2.在不同温度不同的试剂以及不同的腐蚀时间进行对比结果发现,用KOH腐蚀剂在290℃下腐蚀15min时,显示的位错最为清晰、准确,效果最佳.
採用化學腐蝕-金相顯微鏡法和SEM法觀察瞭CZ法生長的直徑50mm的藍寶石單晶中的位錯缺陷.髮現位錯分佈狀況為中心較低、邊緣較高,密度大約為104～10 5cm-2.在不同溫度不同的試劑以及不同的腐蝕時間進行對比結果髮現,用KOH腐蝕劑在290℃下腐蝕15min時,顯示的位錯最為清晰、準確,效果最佳.
채용화학부식-금상현미경법화SEM법관찰료CZ법생장적직경50mm적람보석단정중적위착결함.발현위착분포상황위중심교저、변연교고,밀도대약위104～10 5cm-2.재불동온도불동적시제이급불동적부식시간진행대비결과발현,용KOH부식제재290℃하부식15min시,현시적위착최위청석、준학,효과최가.
