半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
4期
400-403
,共4页
刘梅苍%周之斌%丁正明%崔容强
劉梅蒼%週之斌%丁正明%崔容彊
류매창%주지빈%정정명%최용강
氮化碳薄膜%磷掺杂a-CNx%离子束溅射%光电响应
氮化碳薄膜%燐摻雜a-CNx%離子束濺射%光電響應
담화탄박막%린참잡a-CNx%리자속천사%광전향응
采用离子束溅射反应沉积技术,以高纯N2为工作气体,利用在不同气压下产生的离子束轰击石墨靶,在石英基片上溅射出的碳原子与氮离子反应,沉积出a-CNx薄膜.在室温下,研究薄膜的暗电导和在卤素光源照射下的光电导、光响应增益、响应时间等性质,以及制备工艺和掺杂、氢化对这些性质的影响及关系.实验结果表明:未掺杂的a-CNx薄膜的光响应增益达18,磷掺杂薄膜的光响应增益为3.0,经过氢化处理的未掺杂a-CNx薄膜的光响应增益为30,光响应时间大约为300s.
採用離子束濺射反應沉積技術,以高純N2為工作氣體,利用在不同氣壓下產生的離子束轟擊石墨靶,在石英基片上濺射齣的碳原子與氮離子反應,沉積齣a-CNx薄膜.在室溫下,研究薄膜的暗電導和在滷素光源照射下的光電導、光響應增益、響應時間等性質,以及製備工藝和摻雜、氫化對這些性質的影響及關繫.實驗結果錶明:未摻雜的a-CNx薄膜的光響應增益達18,燐摻雜薄膜的光響應增益為3.0,經過氫化處理的未摻雜a-CNx薄膜的光響應增益為30,光響應時間大約為300s.
채용리자속천사반응침적기술,이고순N2위공작기체,이용재불동기압하산생적리자속굉격석묵파,재석영기편상천사출적탄원자여담리자반응,침적출a-CNx박막.재실온하,연구박막적암전도화재서소광원조사하적광전도、광향응증익、향응시간등성질,이급제비공예화참잡、경화대저사성질적영향급관계.실험결과표명:미참잡적a-CNx박막적광향응증익체18,린참잡박막적광향응증익위3.0,경과경화처리적미참잡a-CNx박막적광향응증익위30,광향응시간대약위300s.
