四川师范大学学报（自然科学版）
四川師範大學學報（自然科學版）
사천사범대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF SICHUAN NORMAL UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2010年
6期
803-807
,共5页
第一性原理%六方GaN%能带结构%态密度
第一性原理%六方GaN%能帶結構%態密度
제일성원리%륙방GaN%능대결구%태밀도
用基于密度泛函理论平面波超软赝势法对六方GaN空位型本征点缺陷进行了理论研究.计算了GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5种模型(Ga和N不同比例情况下的空位型GaN)的能带结构、差分电子密度、电子态密度,详细讨论了各种空位缺陷对GaN性能的影响.结果显示,带隙宽度随着Ga空位或N空位的增加而不断增大,Ga空位是一种受主缺陷,N空位是施主缺陷;N空位的增加导致GaN电导率的下降.
用基于密度汎函理論平麵波超軟贗勢法對六方GaN空位型本徵點缺陷進行瞭理論研究.計算瞭GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875和GaN0.750等5種模型(Ga和N不同比例情況下的空位型GaN)的能帶結構、差分電子密度、電子態密度,詳細討論瞭各種空位缺陷對GaN性能的影響.結果顯示,帶隙寬度隨著Ga空位或N空位的增加而不斷增大,Ga空位是一種受主缺陷,N空位是施主缺陷;N空位的增加導緻GaN電導率的下降.
용기우밀도범함이론평면파초연안세법대륙방GaN공위형본정점결함진행료이론연구.계산료GaN、Ga0.875N,Ga0.750N,GaN0.875화GaN0.750등5충모형(Ga화N불동비례정황하적공위형GaN)적능대결구、차분전자밀도、전자태밀도,상세토론료각충공위결함대GaN성능적영향.결과현시,대극관도수착Ga공위혹N공위적증가이불단증대,Ga공위시일충수주결함,N공위시시주결함;N공위적증가도치GaN전도솔적하강.
