半导体技术
半導體技術
반도체기술
SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY
2011年
9期
697-700,725
,共5页
阮颖%叶波%陈磊%赖宗声
阮穎%葉波%陳磊%賴宗聲
원영%협파%진뢰%뢰종성
功率放大器%双频%偏置电路%锗硅%异质结双极晶体管%宽带码分多址
功率放大器%雙頻%偏置電路%鍺硅%異質結雙極晶體管%寬帶碼分多阯
공솔방대기%쌍빈%편치전로%타규%이질결쌍겁정체관%관대마분다지
采用0.18 μm SiGe BiCMOS工艺设计实现了一款用于3GPP WCDMA 850/2100 (band-Ⅰ/band-Ⅴ)的双频单芯片功率放大器(PA).PA采用单端共射级3级级联的结构,具有带模拟开关的片上偏置电路,通过控制偏置电流对两个PA工作状态进行切换.制造的芯片面积为1.82 mm×2.83 mm,片上集成了开关电路、偏置电路和输入匹配、级间匹配电路.在3.3V电源电压下测试结果表明,对于band-Ⅴ (CLR)频段,PA的线性输出功率P1dB为28.6 dBm,5 dBm输入时,功率附加效率PAE,为34％.对于band-Ⅰ (IMT)频段,PA的P1dB为26.3 dBm,PAE为31％.
採用0.18 μm SiGe BiCMOS工藝設計實現瞭一款用于3GPP WCDMA 850/2100 (band-Ⅰ/band-Ⅴ)的雙頻單芯片功率放大器(PA).PA採用單耑共射級3級級聯的結構,具有帶模擬開關的片上偏置電路,通過控製偏置電流對兩箇PA工作狀態進行切換.製造的芯片麵積為1.82 mm×2.83 mm,片上集成瞭開關電路、偏置電路和輸入匹配、級間匹配電路.在3.3V電源電壓下測試結果錶明,對于band-Ⅴ (CLR)頻段,PA的線性輸齣功率P1dB為28.6 dBm,5 dBm輸入時,功率附加效率PAE,為34％.對于band-Ⅰ (IMT)頻段,PA的P1dB為26.3 dBm,PAE為31％.
채용0.18 μm SiGe BiCMOS공예설계실현료일관용우3GPP WCDMA 850/2100 (band-Ⅰ/band-Ⅴ)적쌍빈단심편공솔방대기(PA).PA채용단단공사급3급급련적결구,구유대모의개관적편상편치전로,통과공제편치전류대량개PA공작상태진행절환.제조적심편면적위1.82 mm×2.83 mm,편상집성료개관전로、편치전로화수입필배、급간필배전로.재3.3V전원전압하측시결과표명,대우band-Ⅴ (CLR)빈단,PA적선성수출공솔P1dB위28.6 dBm,5 dBm수입시,공솔부가효솔PAE,위34％.대우band-Ⅰ (IMT)빈단,PA적P1dB위26.3 dBm,PAE위31％.
