天津科技
天津科技
천진과기
TIANJIN SCIENCE & TECHNOLOGY
2011年
6期
17-19
,共3页
王建利%孙强%李静%马农农%薄春霞
王建利%孫彊%李靜%馬農農%薄春霞
왕건리%손강%리정%마농농%박춘하
掺硅砷化镓单面抛光片%光荧光谱(PL)%二次离子质谱(SIMS)
摻硅砷化鎵單麵拋光片%光熒光譜(PL)%二次離子質譜(SIMS)
참규신화가단면포광편%광형광보(PL)%이차리자질보(SIMS)
为了解决2英寸低阻掺硅砷化镓单面抛光片在MOCVD中“白斑”、“暗斑”的质量问题，从不同公司加工的同一规格的抛光片中取样，分别进行了光荧光谱（PL）、二次离子质谱（SIMS）等测试。通过对这些测试结果进行综合分析，最终确定了造成产品出现“斑”现象的原因，通过改进工艺，向MOCVD用户提供了满足要求的砷化镓抛光片。
為瞭解決2英吋低阻摻硅砷化鎵單麵拋光片在MOCVD中“白斑”、“暗斑”的質量問題，從不同公司加工的同一規格的拋光片中取樣，分彆進行瞭光熒光譜（PL）、二次離子質譜（SIMS）等測試。通過對這些測試結果進行綜閤分析，最終確定瞭造成產品齣現“斑”現象的原因，通過改進工藝，嚮MOCVD用戶提供瞭滿足要求的砷化鎵拋光片。
위료해결2영촌저조참규신화가단면포광편재MOCVD중“백반”、“암반”적질량문제，종불동공사가공적동일규격적포광편중취양，분별진행료광형광보（PL）、이차리자질보（SIMS）등측시。통과대저사측시결과진행종합분석，최종학정료조성산품출현“반”현상적원인，통과개진공예，향MOCVD용호제공료만족요구적신화가포광편。
