三种纵向结构的AlGaN/GaN HFET性能比较
삼충종향결구적AlGaN/GaN HFET성능비교
Characteristics Comparison of AlGaN/GaN HFET for Three Variant Vertical Structure
  • 万方数据
    半导体学报 반도체학보
    CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
    2005年 z1期 155-157 ,共3页

    吕长志%冯士维%王东凤%张小玲%谢雪松%何焱%张浩%徐立国%袁明文%李效白%曾庆明

    려장지%풍사유%왕동봉%장소령%사설송%하염%장호%서입국%원명문%리효백%증경명

    AlGaN/GaN%HFET%倒置结构%双异质结 AlGaN/GaN%HFET%倒置結構%雙異質結
    AlGaN/GaN%HFET%도치결구%쌍이질결
    对AlGaN/GaN HFET纵向的常规结构、倒置结构和双异质结进行了研究,结果表明:常规结构的材料生长简单、容易控制,倒置结构的直流性能低于常规结构,而双异质结虽然在材料生长方面较为复杂,但它可以获得较常规结构更为优良的直流特性.
    대AlGaN/GaN HFET종향적상규결구、도치결구화쌍이질결진행료연구,결과표명:상규결구적재료생장간단、용역공제,도치결구적직류성능저우상규결구,이쌍이질결수연재재료생장방면교위복잡,단타가이획득교상규결구경위우량적직류특성.
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