变温吸收谱研究液相外延碲镉汞浅能级
변온흡수보연구액상외연제력홍천능급
Temperature-dependent absorption spectra investigation of shallow levels in HgCdTe grown by liquid phase epitaxy
  • 万方数据
    物理学报 물이학보

    2007年 5期 2878-2881 ,共4页

    越方禹%邵军%魏彦峰%吕翔%黄炜%杨建荣%褚君浩

    월방우%소군%위언봉%려상%황위%양건영%저군호

    碲镉汞%液相外延%汞空位%反常吸收 碲鎘汞%液相外延%汞空位%反常吸收
    제력홍%액상외연%홍공위%반상흡수
    利用变温吸收谱(11-300 K)对非故意掺杂液相外延Hgl-xcdxTe进行研究,对吸收边在低温区间(＜70K)出现的约7-20 meV反常移动现象进行了分析.结果表明该现象是由材料中Hg空位作为受主能级存在而形成的,红移幅度与样品组分/载流子浓度有关.据此估算Hg空位大致位于价带上方约20meV,与Hg空位形成浅受主能级的经验公式计算结果基本符合.该结果可以解释由传统吸收谱方法确定材料禁带宽度略高于材料实际光电响应截止能量值的现象.
    이용변온흡수보(11-300 K)대비고의참잡액상외연Hgl-xcdxTe진행연구,대흡수변재저온구간(＜70K)출현적약7-20 meV반상이동현상진행료분석.결과표명해현상시유재료중Hg공위작위수주능급존재이형성적,홍이폭도여양품조분/재류자농도유관.거차고산Hg공위대치위우개대상방약20meV,여Hg공위형성천수주능급적경험공식계산결과기본부합.해결과가이해석유전통흡수보방법학정재료금대관도략고우재료실제광전향응절지능량치적현상.
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