金属学报
金屬學報
금속학보
ACTA METALLURGICA SINICA
2008年
9期
1105-1110
,共6页
李新梅%孙文磊%憨勇%刘炳
李新梅%孫文磊%憨勇%劉炳
리신매%손문뢰%감용%류병
电解液微弧碳氮化%Ti%Ti(CxN1-x)膜
電解液微弧碳氮化%Ti%Ti(CxN1-x)膜
전해액미호탄담화%Ti%Ti(CxN1-x)막
采用电解液微弧碳氮化技术(PECN),在纯钛试样表面沉积出较厚且与基体结合牢固的多孔纳米Ti(CxN1-)改性层,研究了改性层结构和组成随PECN处理时间的演变规律.结果表明:随放电处理时间延长,PECN-Ti(CxN1-)膜层厚度,膜层中C/N的原子比以及微孔直径皆增加.处理150 min时,Ti(CxN1-x)膜层厚度可达15 μm,且膜层是由晶粒尺寸为40-60 nm的纳米晶粒组成.处理过程中有氢渗入,并在Ti(CxN1-x)层下面形成富含TiH2的过渡层.后期的真空退火处理可以将氢除去使TiH2完全分解,而不影响表面Ti(CxN1-x)膜的成分和形貌.
採用電解液微弧碳氮化技術(PECN),在純鈦試樣錶麵沉積齣較厚且與基體結閤牢固的多孔納米Ti(CxN1-)改性層,研究瞭改性層結構和組成隨PECN處理時間的縯變規律.結果錶明:隨放電處理時間延長,PECN-Ti(CxN1-)膜層厚度,膜層中C/N的原子比以及微孔直徑皆增加.處理150 min時,Ti(CxN1-x)膜層厚度可達15 μm,且膜層是由晶粒呎吋為40-60 nm的納米晶粒組成.處理過程中有氫滲入,併在Ti(CxN1-x)層下麵形成富含TiH2的過渡層.後期的真空退火處理可以將氫除去使TiH2完全分解,而不影響錶麵Ti(CxN1-x)膜的成分和形貌.
채용전해액미호탄담화기술(PECN),재순태시양표면침적출교후차여기체결합뢰고적다공납미Ti(CxN1-)개성층,연구료개성층결구화조성수PECN처리시간적연변규률.결과표명:수방전처리시간연장,PECN-Ti(CxN1-)막층후도,막층중C/N적원자비이급미공직경개증가.처리150 min시,Ti(CxN1-x)막층후도가체15 μm,차막층시유정립척촌위40-60 nm적납미정립조성.처리과정중유경삼입,병재Ti(CxN1-x)층하면형성부함TiH2적과도층.후기적진공퇴화처리가이장경제거사TiH2완전분해,이불영향표면Ti(CxN1-x)막적성분화형모.
