低温与特气
低溫與特氣
저온여특기
LOW TEMPERATURE AND SPECIALTY GASES
2009年
1期
1-3
,共3页
孙福楠%吴江红%柳蔚%李英辉%于大秋%冯庆祥
孫福楠%吳江紅%柳蔚%李英輝%于大鞦%馮慶祥
손복남%오강홍%류위%리영휘%우대추%풍경상
半导体%剧毒有害气体%SiH4%B2H6%GeH4%PH3%AsH3%干法解毒
半導體%劇毒有害氣體%SiH4%B2H6%GeH4%PH3%AsH3%榦法解毒
반도체%극독유해기체%SiH4%B2H6%GeH4%PH3%AsH3%간법해독
在半导体制造过程中,需要使用大量有毒性气体,如SiH4、B2H6 、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等.这些气体易燃、易爆、有毒,对人身及环境有危害性,为了确保IC等新型半导体材料产业顺利发展,开展气体解毒研究意义重大.传统上采用酸、碱、氧化剂的湿法工艺,存在许多弊病,近年来,剧毒气体干法解毒技术发展迅猛.本文介绍了该技术的原理,希望国产解毒装置能适应IC发展需求.
在半導體製造過程中,需要使用大量有毒性氣體,如SiH4、B2H6 、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3等.這些氣體易燃、易爆、有毒,對人身及環境有危害性,為瞭確保IC等新型半導體材料產業順利髮展,開展氣體解毒研究意義重大.傳統上採用痠、堿、氧化劑的濕法工藝,存在許多弊病,近年來,劇毒氣體榦法解毒技術髮展迅猛.本文介紹瞭該技術的原理,希望國產解毒裝置能適應IC髮展需求.
재반도체제조과정중,수요사용대량유독성기체,여SiH4、B2H6 、Si2H6、GeH4、PH3、CH3Br、H2S、H2Se、AsH3등.저사기체역연、역폭、유독,대인신급배경유위해성,위료학보IC등신형반도체재료산업순리발전,개전기체해독연구의의중대.전통상채용산、감、양화제적습법공예,존재허다폐병,근년래,극독기체간법해독기술발전신맹.본문개소료해기술적원리,희망국산해독장치능괄응IC발전수구.
