固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2009年
1期
41-45
,共5页
王贵%华明清%王志功%唐万春
王貴%華明清%王誌功%唐萬春
왕귀%화명청%왕지공%당만춘
低噪声放大器%输入回波损耗%噪声系数%互补金属氧化物半导体
低譟聲放大器%輸入迴波損耗%譟聲繫數%互補金屬氧化物半導體
저조성방대기%수입회파손모%조성계수%호보금속양화물반도체
基于共源级联放大器的小信号模型,详细分析了宽带放大器的输入阻抗特性和噪声特性.利用MOS晶体管的寄生容性反馈机理,采用TSMC公司标准0.18 μm CMOS工艺设计实现了单片集成宽带低噪声放大器,芯片尺寸为0.6 mm×1.5 mm.测试结果表明,在3.1～5.2 GHz频段内,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12 dB,噪声系数NF<3.1dB.电源电压为1.8V,功耗为14mW.
基于共源級聯放大器的小信號模型,詳細分析瞭寬帶放大器的輸入阻抗特性和譟聲特性.利用MOS晶體管的寄生容性反饋機理,採用TSMC公司標準0.18 μm CMOS工藝設計實現瞭單片集成寬帶低譟聲放大器,芯片呎吋為0.6 mm×1.5 mm.測試結果錶明,在3.1～5.2 GHz頻段內,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12 dB,譟聲繫數NF<3.1dB.電源電壓為1.8V,功耗為14mW.
기우공원급련방대기적소신호모형,상세분석료관대방대기적수입조항특성화조성특성.이용MOS정체관적기생용성반궤궤리,채용TSMC공사표준0.18 μm CMOS공예설계실현료단편집성관대저조성방대기,심편척촌위0.6 mm×1.5 mm.측시결과표명,재3.1～5.2 GHz빈단내,S11<-15dB,S21>12dB,S22<-12 dB,조성계수NF<3.1dB.전원전압위1.8V,공모위14mW.
