真空
真空
진공
VACUUM
2012年
2期
44-46
,共3页
基片温度%沉积速率%折射率
基片溫度%沉積速率%摺射率
기편온도%침적속솔%절사솔
本文详细地研究了基片温度对磁控溅射沉积二氧化硅的影响,随着基片温度的增加,溅射沉积速率下降明显,薄膜的折射率也出现上升趋势,薄膜也由低温时的疏松粗糙发展为致密光滑.250℃时的溅射沉积速率仅为室温时的1/3,由此,针对间歇式在大面积玻璃上沉积二氧化硅薄膜,我们采取了沉积完ITO薄膜后,先快速降温,再沉积二氧化硅的工艺.
本文詳細地研究瞭基片溫度對磁控濺射沉積二氧化硅的影響,隨著基片溫度的增加,濺射沉積速率下降明顯,薄膜的摺射率也齣現上升趨勢,薄膜也由低溫時的疏鬆粗糙髮展為緻密光滑.250℃時的濺射沉積速率僅為室溫時的1/3,由此,針對間歇式在大麵積玻璃上沉積二氧化硅薄膜,我們採取瞭沉積完ITO薄膜後,先快速降溫,再沉積二氧化硅的工藝.
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