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2011年
31期
30-30,33
,共2页
PECVD%氮化硅%沉积温度%残余应力
PECVD%氮化硅%沉積溫度%殘餘應力
PECVD%담화규%침적온도%잔여응력
采用了等离子体增强化学气相沉积法（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD）,硅烷SiH4（用氮气N2稀释到12%）和纯氨气NH3作为反应气体在（100）硅片上生长氮化硅薄膜;采用表面轮廓仪（Dektak3 6M）测量氮化硅薄膜的残余应力;由XPS测得氮化硅薄膜的氮硅比。讨论沉积温度对氮化硅薄膜残余应力的影响,并分析其原因。
採用瞭等離子體增彊化學氣相沉積法（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD）,硅烷SiH4（用氮氣N2稀釋到12%）和純氨氣NH3作為反應氣體在（100）硅片上生長氮化硅薄膜;採用錶麵輪廓儀（Dektak3 6M）測量氮化硅薄膜的殘餘應力;由XPS測得氮化硅薄膜的氮硅比。討論沉積溫度對氮化硅薄膜殘餘應力的影響,併分析其原因。
채용료등리자체증강화학기상침적법（Plasma-enhanced Chemical Vapor Deposition,PECVD）,규완SiH4（용담기N2희석도12%）화순안기NH3작위반응기체재（100）규편상생장담화규박막;채용표면륜곽의（Dektak3 6M）측량담화규박막적잔여응력;유XPS측득담화규박막적담규비。토론침적온도대담화규박막잔여응력적영향,병분석기원인。
