电子元件与材料
電子元件與材料
전자원건여재료
ELECTRONIC COMPONENTS & MATERIALS
2010年
4期
5-7,11
,共4页
辛红%刘长菊%王艳阳%苏未安
辛紅%劉長菊%王豔暘%囌未安
신홍%류장국%왕염양%소미안
缓冲层%PZT薄膜%Sr(Zr0.1Ti0.9)O3%取向度
緩遲層%PZT薄膜%Sr(Zr0.1Ti0.9)O3%取嚮度
완충층%PZT박막%Sr(Zr0.1Ti0.9)O3%취향도
采用sol-gel法制备了具有Sr(Zr0.1Ti0.9)O3缓冲层的PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT)薄膜,研究了缓冲层厚度对样品结晶和性能的影响.结果表明,较薄缓冲层会诱导PZT薄膜的(111)择优取向,添加单层缓冲层(约20 nm)使其(111)取向度提高到90%;较厚缓冲层会抑制PZT薄膜的(111)择优取向,添加四层缓冲层(约80 nm)使其(111)取向度降低到9%;缓冲层厚度对样品电性能有显著影响,其剩余极化强度由无缓冲层时的26.8×10-6 C/cm2增加到缓冲层厚度约为20 nm时的38.8×10-6 C/cm2.
採用sol-gel法製備瞭具有Sr(Zr0.1Ti0.9)O3緩遲層的PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT)薄膜,研究瞭緩遲層厚度對樣品結晶和性能的影響.結果錶明,較薄緩遲層會誘導PZT薄膜的(111)擇優取嚮,添加單層緩遲層(約20 nm)使其(111)取嚮度提高到90%;較厚緩遲層會抑製PZT薄膜的(111)擇優取嚮,添加四層緩遲層(約80 nm)使其(111)取嚮度降低到9%;緩遲層厚度對樣品電性能有顯著影響,其剩餘極化彊度由無緩遲層時的26.8×10-6 C/cm2增加到緩遲層厚度約為20 nm時的38.8×10-6 C/cm2.
채용sol-gel법제비료구유Sr(Zr0.1Ti0.9)O3완충층적PbZr0.52Ti0.48O3 (PZT)박막,연구료완충층후도대양품결정화성능적영향.결과표명,교박완충층회유도PZT박막적(111)택우취향,첨가단층완충층(약20 nm)사기(111)취향도제고도90%;교후완충층회억제PZT박막적(111)택우취향,첨가사층완충층(약80 nm)사기(111)취향도강저도9%;완충층후도대양품전성능유현저영향,기잉여겁화강도유무완충층시적26.8×10-6 C/cm2증가도완충층후도약위20 nm시적38.8×10-6 C/cm2.
