中国集成电路
中國集成電路
중국집성전로
CHINA INTEGRATED CIRCUIT
2009年
9期
35-38
,共4页
张玉良%王志功%苗澎%田玲
張玉良%王誌功%苗澎%田玲
장옥량%왕지공%묘팽%전령
VCSEL%电压驱动器%RC负反馈%电容耦合电流放大器
VCSEL%電壓驅動器%RC負反饋%電容耦閤電流放大器
VCSEL%전압구동기%RC부반궤%전용우합전류방대기
采用SMIC 0.18 μm 1P6M混合信号CMOS工艺设计了10 Gb/s VCSEL电压驱动器,可以用于驱动共阴结构的VCSEL.电路采用了RC负反馈技术和C3A(电容耦合电流放大器)结构,仿真结果表明,电路在10 Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5 Gb/s.电路采用1.8 V和3.5 V电压供电,直流总功耗为164 mW.
採用SMIC 0.18 μm 1P6M混閤信號CMOS工藝設計瞭10 Gb/s VCSEL電壓驅動器,可以用于驅動共陰結構的VCSEL.電路採用瞭RC負反饋技術和C3A(電容耦閤電流放大器)結構,倣真結果錶明,電路在10 Gb/s速率下工作性能良好,最高可工作至12.5 Gb/s.電路採用1.8 V和3.5 V電壓供電,直流總功耗為164 mW.
채용SMIC 0.18 μm 1P6M혼합신호CMOS공예설계료10 Gb/s VCSEL전압구동기,가이용우구동공음결구적VCSEL.전로채용료RC부반궤기술화C3A(전용우합전류방대기)결구,방진결과표명,전로재10 Gb/s속솔하공작성능량호,최고가공작지12.5 Gb/s.전로채용1.8 V화3.5 V전압공전,직류총공모위164 mW.
