西安电子科技大学学报（自然科学版）
西安電子科技大學學報（自然科學版）
서안전자과기대학학보（자연과학판）
JOURNAL OF XIDIAN UNIVERSITY(NATURAL SCIENCE)
2008年
6期
1051-1055
,共5页
二氧化铪%双频C-V法%四元件电路模型%频率色散
二氧化鉿%雙頻C-V法%四元件電路模型%頻率色散
이양화협%쌍빈C-V법%사원건전로모형%빈솔색산
针对超薄HfO2栅介质MOS电容,提出改进的四元件小信号等效电路模型,修正了双频C-V法,增加了串联寄生电阻和串联电感两个参数.结合双频测量结果计算出修正的GV曲线,消除了高频时的频率色散现象,而且曲线更加接近理想C-V曲线.通过实验结果提取了寄生参数值并拟合出各元件值与MOS电容面积和反型层厚度的解析表达式.实验测量和理论计算表明该方法可提高通常C-V法的测量精度.
針對超薄HfO2柵介質MOS電容,提齣改進的四元件小信號等效電路模型,脩正瞭雙頻C-V法,增加瞭串聯寄生電阻和串聯電感兩箇參數.結閤雙頻測量結果計算齣脩正的GV麯線,消除瞭高頻時的頻率色散現象,而且麯線更加接近理想C-V麯線.通過實驗結果提取瞭寄生參數值併擬閤齣各元件值與MOS電容麵積和反型層厚度的解析錶達式.實驗測量和理論計算錶明該方法可提高通常C-V法的測量精度.
침대초박HfO2책개질MOS전용,제출개진적사원건소신호등효전로모형,수정료쌍빈C-V법,증가료천련기생전조화천련전감량개삼수.결합쌍빈측량결과계산출수정적GV곡선,소제료고빈시적빈솔색산현상,이차곡선경가접근이상C-V곡선.통과실험결과제취료기생삼수치병의합출각원건치여MOS전용면적화반형층후도적해석표체식.실험측량화이론계산표명해방법가제고통상C-V법적측량정도.
