激光与光电子学进展
激光與光電子學進展
격광여광전자학진전
LASER & OPTOELECTRONICS PROGRESS
2008年
2期
7
,共1页
马向阳%陈培良%李东升%章圆圆%杨德仁
馬嚮暘%陳培良%李東升%章圓圓%楊德仁
마향양%진배량%리동승%장원원%양덕인
硅基%ZnO薄膜%电抽运%随机激光
硅基%ZnO薄膜%電抽運%隨機激光
규기%ZnO박막%전추운%수궤격광
在硅衬底上制备了基于ZnO多晶薄膜的金属-绝缘层-半导体(MIS)器件,该MIS器件在室温下被施以不断增大的正向偏压时,来自于ZnO薄膜的紫外发光从自发辐射转变为受激辐射,并产生随机激光.
在硅襯底上製備瞭基于ZnO多晶薄膜的金屬-絕緣層-半導體(MIS)器件,該MIS器件在室溫下被施以不斷增大的正嚮偏壓時,來自于ZnO薄膜的紫外髮光從自髮輻射轉變為受激輻射,併產生隨機激光.
재규츤저상제비료기우ZnO다정박막적금속-절연층-반도체(MIS)기건,해MIS기건재실온하피시이불단증대적정향편압시,래자우ZnO박막적자외발광종자발복사전변위수격복사,병산생수궤격광.
