现代电子技术
現代電子技術
현대전자기술
MODERN ELECTRONICS TECHNIQUE
2008年
2期
142-144
,共3页
红外焦平面阵列%非均匀性校正%ASIC%两点法
紅外焦平麵陣列%非均勻性校正%ASIC%兩點法
홍외초평면진렬%비균균성교정%ASIC%량점법
红外焦平面阵列响应率的非均匀性是制约红外成像质量的主要因素.考虑实时处理的需要,基于温度定标两点校正法,进行ASIC设计.在阐述芯片结构基础上介绍各种模式功能.ASIC设计具有实时性好、体积小、性价比高的优点,适用于红外成像系统进行高速实时处理.最后给出在具有自主知识产权SoC芯片Garifield4上的算法验证结果.
紅外焦平麵陣列響應率的非均勻性是製約紅外成像質量的主要因素.攷慮實時處理的需要,基于溫度定標兩點校正法,進行ASIC設計.在闡述芯片結構基礎上介紹各種模式功能.ASIC設計具有實時性好、體積小、性價比高的優點,適用于紅外成像繫統進行高速實時處理.最後給齣在具有自主知識產權SoC芯片Garifield4上的算法驗證結果.
홍외초평면진렬향응솔적비균균성시제약홍외성상질량적주요인소.고필실시처리적수요,기우온도정표량점교정법,진행ASIC설계.재천술심편결구기출상개소각충모식공능.ASIC설계구유실시성호、체적소、성개비고적우점,괄용우홍외성상계통진행고속실시처리.최후급출재구유자주지식산권SoC심편Garifield4상적산법험증결과.
