物理学报
物理學報
물이학보
2007年
12期
7295-7299
,共5页
邢艳辉%韩军%刘建平%邓军%牛南辉%沈光地
邢豔輝%韓軍%劉建平%鄧軍%牛南輝%瀋光地
형염휘%한군%류건평%산군%우남휘%침광지
InGaN/GaN多量子阱%X射线双晶衍射%原子力显微镜%光致发光
InGaN/GaN多量子阱%X射線雙晶衍射%原子力顯微鏡%光緻髮光
InGaN/GaN다양자정%X사선쌍정연사%원자력현미경%광치발광
利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长InGaN/GaN多量子阱结构.对多量子阱垒层掺In和非掺In进行了比较研究,结果表明,垒掺In 的样品界面质量变差,但明显增加了光致发光谱的峰值强度和积分强度,带边峰与黄光峰强度之比增大,降低了表面粗糙度.利用这两种结构制备了相应的发光二极管(LED)样品.通过电荧光测量可知,垒掺In的LED比非掺In的LED有较高的发光强度和相对均匀的波长,这主要是由于垒掺In后降低了阱与垒之间晶格失配的应力,从而降低了极化电场,提高了辐射复合效率.
利用金屬有機物化學氣相澱積技術在藍寶石襯底上生長InGaN/GaN多量子阱結構.對多量子阱壘層摻In和非摻In進行瞭比較研究,結果錶明,壘摻In 的樣品界麵質量變差,但明顯增加瞭光緻髮光譜的峰值彊度和積分彊度,帶邊峰與黃光峰彊度之比增大,降低瞭錶麵粗糙度.利用這兩種結構製備瞭相應的髮光二極管(LED)樣品.通過電熒光測量可知,壘摻In的LED比非摻In的LED有較高的髮光彊度和相對均勻的波長,這主要是由于壘摻In後降低瞭阱與壘之間晶格失配的應力,從而降低瞭極化電場,提高瞭輻射複閤效率.
이용금속유궤물화학기상정적기술재람보석츤저상생장InGaN/GaN다양자정결구.대다양자정루층참In화비참In진행료비교연구,결과표명,루참In 적양품계면질량변차,단명현증가료광치발광보적봉치강도화적분강도,대변봉여황광봉강도지비증대,강저료표면조조도.이용저량충결구제비료상응적발광이겁관(LED)양품.통과전형광측량가지,루참In적LED비비참In적LED유교고적발광강도화상대균균적파장,저주요시유우루참In후강저료정여루지간정격실배적응력,종이강저료겁화전장,제고료복사복합효솔.
