半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
182-185
,共4页
齐鸣%徐安怀%艾立鹍%孙浩%朱福英
齊鳴%徐安懷%艾立鹍%孫浩%硃福英
제명%서안부%애립곤%손호%주복영
InP%InGaP%GaAs%GSMBE%HBT
InP%InGaP%GaAs%GSMBE%HBT
InP%InGaP%GaAs%GSMBE%HBT
通过对外延材料结构设计和GSMBE生长工艺的深入研究,解决了生长InP基及含磷化合物HBT外延材料的关键问题,建立了稳定优化的GSMBE生长工艺,研制出性能优良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所发展的GSMBE外延技术,在As/P气氛切换、基区p型重掺杂扩散抑制、双异质结HBT结构设计等方面具有自己的特色.器件单位采用所提供的外延材料研制出的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件与电路,达到了目前采用国产HBT外延材料研制的最好水平.
通過對外延材料結構設計和GSMBE生長工藝的深入研究,解決瞭生長InP基及含燐化閤物HBT外延材料的關鍵問題,建立瞭穩定優化的GSMBE生長工藝,研製齣性能優良的φ50mm InP基HBT和φ100mm InGaP/GaAs HBT外延材料.所髮展的GSMBE外延技術,在As/P氣氛切換、基區p型重摻雜擴散抑製、雙異質結HBT結構設計等方麵具有自己的特色.器件單位採用所提供的外延材料研製齣的InP基HBT和InGaP/GaAs HBT器件與電路,達到瞭目前採用國產HBT外延材料研製的最好水平.
통과대외연재료결구설계화GSMBE생장공예적심입연구,해결료생장InP기급함린화합물HBT외연재료적관건문제,건립료은정우화적GSMBE생장공예,연제출성능우량적φ50mm InP기HBT화φ100mm InGaP/GaAs HBT외연재료.소발전적GSMBE외연기술,재As/P기분절환、기구p형중참잡확산억제、쌍이질결HBT결구설계등방면구유자기적특색.기건단위채용소제공적외연재료연제출적InP기HBT화InGaP/GaAs HBT기건여전로,체도료목전채용국산HBT외연재료연제적최호수평.
