半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
z1期
568-571
,共4页
陈少武%屠晓光%余和军%樊中朝%徐学俊%余金中
陳少武%屠曉光%餘和軍%樊中朝%徐學俊%餘金中
진소무%도효광%여화군%번중조%서학준%여금중
硅基微纳光子器件%电子束/光学邻近效应%ICP-RIE刻蚀%光波导侧壁粗糙度%CVD
硅基微納光子器件%電子束/光學鄰近效應%ICP-RIE刻蝕%光波導側壁粗糙度%CVD
규기미납광자기건%전자속/광학린근효응%ICP-RIE각식%광파도측벽조조도%CVD
讨论了硅基微纳光子器件制备过程中涉及的几个关键工艺问题,包括:电子束/光学光刻的电子束/光学邻近效应;纳米线光波导ICP-RIE刻蚀的侧壁粗糙问题;光栅及MOS绝缘栅氧化硅填充致密度问题.这些问题可影响器件的结构均匀性、波导传输损耗、光栅的散射损耗以及MOS绝缘栅的绝缘性能.在分析实验结果的基础上,提出了一些解决方案.
討論瞭硅基微納光子器件製備過程中涉及的幾箇關鍵工藝問題,包括:電子束/光學光刻的電子束/光學鄰近效應;納米線光波導ICP-RIE刻蝕的側壁粗糙問題;光柵及MOS絕緣柵氧化硅填充緻密度問題.這些問題可影響器件的結構均勻性、波導傳輸損耗、光柵的散射損耗以及MOS絕緣柵的絕緣性能.在分析實驗結果的基礎上,提齣瞭一些解決方案.
토론료규기미납광자기건제비과정중섭급적궤개관건공예문제,포괄:전자속/광학광각적전자속/광학린근효응;납미선광파도ICP-RIE각식적측벽조조문제;광책급MOS절연책양화규전충치밀도문제.저사문제가영향기건적결구균균성、파도전수손모、광책적산사손모이급MOS절연책적절연성능.재분석실험결과적기출상,제출료일사해결방안.
