半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
11期
1777-1781
,共5页
李诚瞻%庞磊%刘新宇%黄俊%刘键%郑英奎%和致经
李誠瞻%龐磊%劉新宇%黃俊%劉鍵%鄭英奎%和緻經
리성첨%방뢰%류신우%황준%류건%정영규%화치경
等离子体刻蚀%凹栅槽%栅电流%N空位
等離子體刻蝕%凹柵槽%柵電流%N空位
등리자체각식%요책조%책전류%N공위
对等离子体干法刻蚀形成的凹栅槽结构AlGaN/GaN HEMTs肖特基电流增加的机理进行了研究.实验表明,凹栅槽结构AIGaN/GaN HEMTs肖特基栅电流增加一个数量级以上,击穿电压有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN表面,等离子体干法刻蚀增加了AlGaN表面粗糙度,甚至出现部分尖峰状突起,增大了栅金属与AlGaN的接触面积;另一方面,等离子体轰击使AlGaN表面出现一定量的N空位,相当于栅金属与AlGaN接触界面处出现n型掺杂层,使肖特基结的隧道效应加强,降低了肖特基势垒.由此表明,AlGaN表面粗糙度的增加以及一定量的N空位出现是引起栅电流急剧增大的根本原因.
對等離子體榦法刻蝕形成的凹柵槽結構AlGaN/GaN HEMTs肖特基電流增加的機理進行瞭研究.實驗錶明,凹柵槽結構AIGaN/GaN HEMTs肖特基柵電流增加一箇數量級以上,擊穿電壓有一定程度的下降.利用AFM和XPS的方法分析AlGaN錶麵,等離子體榦法刻蝕增加瞭AlGaN錶麵粗糙度,甚至齣現部分尖峰狀突起,增大瞭柵金屬與AlGaN的接觸麵積;另一方麵,等離子體轟擊使AlGaN錶麵齣現一定量的N空位,相噹于柵金屬與AlGaN接觸界麵處齣現n型摻雜層,使肖特基結的隧道效應加彊,降低瞭肖特基勢壘.由此錶明,AlGaN錶麵粗糙度的增加以及一定量的N空位齣現是引起柵電流急劇增大的根本原因.
대등리자체간법각식형성적요책조결구AlGaN/GaN HEMTs초특기전류증가적궤리진행료연구.실험표명,요책조결구AIGaN/GaN HEMTs초특기책전류증가일개수량급이상,격천전압유일정정도적하강.이용AFM화XPS적방법분석AlGaN표면,등리자체간법각식증가료AlGaN표면조조도,심지출현부분첨봉상돌기,증대료책금속여AlGaN적접촉면적;령일방면,등리자체굉격사AlGaN표면출현일정량적N공위,상당우책금속여AlGaN접촉계면처출현n형참잡층,사초특기결적수도효응가강,강저료초특기세루.유차표명,AlGaN표면조조도적증가이급일정량적N공위출현시인기책전류급극증대적근본원인.
