真空电子技术
真空電子技術
진공전자기술
VACUUM ELECTRONICS
2007年
4期
25-27
,共3页
Si3N4%晶种%Lu2O3
Si3N4%晶種%Lu2O3
Si3N4%정충%Lu2O3
在自增韧陶瓷的烧结过程中,添加β-Si3N4晶种有利于高温下长柱状晶的形成与生长,可以改善陶瓷的强度和韧性;本文以Lu2O3为添加剂,通过对原始Si3N4粉进行热处理,制备出转相充分、具有柱状形貌β-Si3N4晶种,重点研究了Lu2O3对氮化硅相变和晶种形貌的影响.实验结果表明,以Lu2O3为添加剂,在1750 ℃下热处理2 h能得到具有较纯β相含量和大长径比的β-Si3N4晶种.
在自增韌陶瓷的燒結過程中,添加β-Si3N4晶種有利于高溫下長柱狀晶的形成與生長,可以改善陶瓷的彊度和韌性;本文以Lu2O3為添加劑,通過對原始Si3N4粉進行熱處理,製備齣轉相充分、具有柱狀形貌β-Si3N4晶種,重點研究瞭Lu2O3對氮化硅相變和晶種形貌的影響.實驗結果錶明,以Lu2O3為添加劑,在1750 ℃下熱處理2 h能得到具有較純β相含量和大長徑比的β-Si3N4晶種.
재자증인도자적소결과정중,첨가β-Si3N4정충유리우고온하장주상정적형성여생장,가이개선도자적강도화인성;본문이Lu2O3위첨가제,통과대원시Si3N4분진행열처리,제비출전상충분、구유주상형모β-Si3N4정충,중점연구료Lu2O3대담화규상변화정충형모적영향.실험결과표명,이Lu2O3위첨가제,재1750 ℃하열처리2 h능득도구유교순β상함량화대장경비적β-Si3N4정충.
