半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2007年
10期
1562-1567
,共6页
颜建锋%张洁%郭丽伟%朱学亮%彭铭曾%贾海强%陈弘%周均铭
顏建鋒%張潔%郭麗偉%硃學亮%彭銘曾%賈海彊%陳弘%週均銘
안건봉%장길%곽려위%주학량%팽명증%가해강%진홍%주균명
GaN%非极性%X射线衍射%Raman谱%残余应力
GaN%非極性%X射線衍射%Raman譜%殘餘應力
GaN%비겁성%X사선연사%Raman보%잔여응력
采用MOCVD技术在r面蓝宝石衬底上采用两步AlN缓冲层法外延制备了a面GaN薄膜.利用高分辨X射线衍射技术和Raman散射技术分析了样品的质量以及外延膜中的残余应力.实验结果表明:样品的(1120)面的X射线双晶摇摆曲线的半峰宽仅为0.193°,Raman光谱中E2高频模的半峰宽仅为3.9cm-1,这些说明a面GaN薄膜具有较好的晶体质量;X射线研究结果表明样品与衬底的位相关系为:[11(2)0]GaN ||[1(1)02]sapphire,[0001]Gan||[(11)01]sapphire和[(11)00]GaN[11(2)0]sapphire;高分辨X射线和Raman散射谱的残余应力研究表明,采用两步AlN缓冲层法制备的a面GaN薄膜在平面内的残余应力大小与用低温GaN缓冲层法制备的a面GaN薄膜不同,我们认为这是由引入AlN带来的晶格失配和热失配的变化引起的.
採用MOCVD技術在r麵藍寶石襯底上採用兩步AlN緩遲層法外延製備瞭a麵GaN薄膜.利用高分辨X射線衍射技術和Raman散射技術分析瞭樣品的質量以及外延膜中的殘餘應力.實驗結果錶明:樣品的(1120)麵的X射線雙晶搖襬麯線的半峰寬僅為0.193°,Raman光譜中E2高頻模的半峰寬僅為3.9cm-1,這些說明a麵GaN薄膜具有較好的晶體質量;X射線研究結果錶明樣品與襯底的位相關繫為:[11(2)0]GaN ||[1(1)02]sapphire,[0001]Gan||[(11)01]sapphire和[(11)00]GaN[11(2)0]sapphire;高分辨X射線和Raman散射譜的殘餘應力研究錶明,採用兩步AlN緩遲層法製備的a麵GaN薄膜在平麵內的殘餘應力大小與用低溫GaN緩遲層法製備的a麵GaN薄膜不同,我們認為這是由引入AlN帶來的晶格失配和熱失配的變化引起的.
채용MOCVD기술재r면람보석츤저상채용량보AlN완충층법외연제비료a면GaN박막.이용고분변X사선연사기술화Raman산사기술분석료양품적질량이급외연막중적잔여응력.실험결과표명:양품적(1120)면적X사선쌍정요파곡선적반봉관부위0.193°,Raman광보중E2고빈모적반봉관부위3.9cm-1,저사설명a면GaN박막구유교호적정체질량;X사선연구결과표명양품여츤저적위상관계위:[11(2)0]GaN ||[1(1)02]sapphire,[0001]Gan||[(11)01]sapphire화[(11)00]GaN[11(2)0]sapphire;고분변X사선화Raman산사보적잔여응력연구표명,채용량보AlN완충층법제비적a면GaN박막재평면내적잔여응력대소여용저온GaN완충층법제비적a면GaN박막불동,아문인위저시유인입AlN대래적정격실배화열실배적변화인기적.
