电子器件
電子器件
전자기건
JOURNAL OF ELECTRON DEVICES
2007年
1期
259-262
,共4页
黄晶生%吴金%刘凡%姚建楠
黃晶生%吳金%劉凡%姚建楠
황정생%오금%류범%요건남
LDO%频率补偿%Hspice%瞬态响应
LDO%頻率補償%Hspice%瞬態響應
LDO%빈솔보상%Hspice%순태향응
在基本LDO电路结构及其频率特性分析的基础上,分析了常规LDO电路动态特性局限产生的根源,并重点讨论了基于NMCNR、AFFC及自适应偏置三种运放结构大电流负载驱动的高速LDO电路设计,分析、比较了不同补偿方式对系统动态性能和稳定性的影响.采用CSMC 0.6 μm CMOS工艺,通过Hspice完成了电路性能的模拟,实际结果验证了电路在负载瞬态调节性能上的明显改善和提高.
在基本LDO電路結構及其頻率特性分析的基礎上,分析瞭常規LDO電路動態特性跼限產生的根源,併重點討論瞭基于NMCNR、AFFC及自適應偏置三種運放結構大電流負載驅動的高速LDO電路設計,分析、比較瞭不同補償方式對繫統動態性能和穩定性的影響.採用CSMC 0.6 μm CMOS工藝,通過Hspice完成瞭電路性能的模擬,實際結果驗證瞭電路在負載瞬態調節性能上的明顯改善和提高.
재기본LDO전로결구급기빈솔특성분석적기출상,분석료상규LDO전로동태특성국한산생적근원,병중점토론료기우NMCNR、AFFC급자괄응편치삼충운방결구대전류부재구동적고속LDO전로설계,분석、비교료불동보상방식대계통동태성능화은정성적영향.채용CSMC 0.6 μm CMOS공예,통과Hspice완성료전로성능적모의,실제결과험증료전로재부재순태조절성능상적명현개선화제고.
