稀有金属材料与工程
稀有金屬材料與工程
희유금속재료여공정
RARE METAL MATERIALS AND ENGINEERNG
2006年
z2期
161-164
,共4页
邓冬梅%吴春瑜%王金延%文正%郝一龙%王阳元
鄧鼕梅%吳春瑜%王金延%文正%郝一龍%王暘元
산동매%오춘유%왕금연%문정%학일룡%왕양원
空穴陷阱%电子陷阱%光电导%复合
空穴陷阱%電子陷阱%光電導%複閤
공혈함정%전자함정%광전도%복합
hole traps%electron traps%photoconductivity%recombination
通过对室温下的本征氮化镓材料进行不同波长(360nm~377nm)的光照,分析了本征氮化镓中的持续光电导及其复合机制.实验的结果证明了两种持续光电导的特性:一种是快速的复合,而且分析表明关灯后这种复合机制导致的持续光电流下降幅度随着波长的增加而增加;另一种是速度较慢的复合,它的电流衰减幅度几乎不受波长的影响.基于这些现象,提出了一个可能的物理模型,认为第一种机制是由于导带电子被电子陷阱俘获而引起的,第二种是由于导带电子与空穴陷阱俘获的空穴之间的复合而造成的.
通過對室溫下的本徵氮化鎵材料進行不同波長(360nm~377nm)的光照,分析瞭本徵氮化鎵中的持續光電導及其複閤機製.實驗的結果證明瞭兩種持續光電導的特性:一種是快速的複閤,而且分析錶明關燈後這種複閤機製導緻的持續光電流下降幅度隨著波長的增加而增加;另一種是速度較慢的複閤,它的電流衰減幅度幾乎不受波長的影響.基于這些現象,提齣瞭一箇可能的物理模型,認為第一種機製是由于導帶電子被電子陷阱俘穫而引起的,第二種是由于導帶電子與空穴陷阱俘穫的空穴之間的複閤而造成的.
통과대실온하적본정담화가재료진행불동파장(360nm~377nm)적광조,분석료본정담화가중적지속광전도급기복합궤제.실험적결과증명료량충지속광전도적특성:일충시쾌속적복합,이차분석표명관등후저충복합궤제도치적지속광전류하강폭도수착파장적증가이증가;령일충시속도교만적복합,타적전류쇠감폭도궤호불수파장적영향.기우저사현상,제출료일개가능적물리모형,인위제일충궤제시유우도대전자피전자함정부획이인기적,제이충시유우도대전자여공혈함정부획적공혈지간적복합이조성적.
Persistent photoconductivity (PPC) and recombination mechanism were investigated in an intrinsic GaN at room temperature with incident photon wavelength from 360 nm to 377 nm. Experimental results reveal two main persistent features:a quickly recombination mechanism resulting in increasing of the PPC decay magnitude of the photocurrent with the increase of the incident wavelength, and a slower one, which dose not affect the decay magnitude of photocurrent when the incident wavelength changes. A physical model is proposed based on the two recombination mechanisms, the former mechanism may be related to the capture of conduction band electrons by deep electron traps, and the later is due to the recombination of electrons with holes trapped in hole traps.