半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2005年
10期
1929-1933
,共5页
双势垒%共振隧穿%寿命
雙勢壘%共振隧穿%壽命
쌍세루%공진수천%수명
采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrodinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现,隧穿寿命随阱宽和垒厚的增加而迅速增大.
採用轉移矩陣和數值計算相結閤的方法求解含時Schrodinger方程,計算瞭電子在雙勢壘結構中的構建時間和隧穿壽命.結果錶明:構建時間和隧穿壽命對于描述電子隧穿時間特性同等重要.通過研究隧穿時間對結構參數的依賴情況髮現,隧穿壽命隨阱寬和壘厚的增加而迅速增大.
채용전이구진화수치계산상결합적방법구해함시Schrodinger방정,계산료전자재쌍세루결구중적구건시간화수천수명.결과표명:구건시간화수천수명대우묘술전자수천시간특성동등중요.통과연구수천시간대결구삼수적의뢰정황발현,수천수명수정관화루후적증가이신속증대.
