中国有色金属学报
中國有色金屬學報
중국유색금속학보
THE CHINESE JOURNAL OF NONFERROUS METALS
2004年
z1期
381-385
,共5页
罗毅%邵嘉平%郭文平%韩彦军%胡卉%薛松%孙长征%郝智彪
囉毅%邵嘉平%郭文平%韓彥軍%鬍卉%薛鬆%孫長徵%郝智彪
라의%소가평%곽문평%한언군%호훼%설송%손장정%학지표
氮化镓(GaN)%发光二极管(LED)%材料外延%干法刻蚀
氮化鎵(GaN)%髮光二極管(LED)%材料外延%榦法刻蝕
담화가(GaN)%발광이겁관(LED)%재료외연%간법각식
通过对氮化镓(Gallium nitride,GaN)基蓝色高亮度发光二极管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金属有机气相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生长技术的研究和优化以及在有源区内引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)结构,获得了高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射线衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和变温光致荧光谱(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)测量表明外延材料的异质界面陡峭,单晶质量优异,并由变注入电致荧光谱(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)测量获得:HB-LED芯片的峰值发光波长在注入电流为2 mA至120 mA变化下蓝移量小于1 nm,电致荧光谱的半高全宽值(Full width hlf maximum,FWHM)在注入电流为20 mA时仅为18 nm.此外,还介绍了GaN基材料感应耦合等离子体(Inductivelycoupled plasma,ICP)干法刻蚀技术.考虑实际需要,本文作者开发了AlGaN/GaN异质材料的非选择性刻蚀工艺,原子力显微镜(Atomic force microscope,AFM)观察得到AlGaN/GaN刻蚀表面均方根粗糙度RMS仅为0.85nm,与外延片的表面平整度相当.还获得了AlGaN/GaN高选择比的刻蚀技术,GaN和AlGaN的刻蚀选择比为60.
通過對氮化鎵(Gallium nitride,GaN)基藍色高亮度髮光二極管(High brightness light emitting diode,HB-LED)材料金屬有機氣相外延(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)生長技術的研究和優化以及在有源區內引入新型InxGa1-xN/GaN多量子阱(Multiple quantum wells,MQWs)結構,穫得瞭高性能的HB-LED外延片材料.高分辨率X射線衍射(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)和變溫光緻熒光譜(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)測量錶明外延材料的異質界麵陡峭,單晶質量優異,併由變註入電緻熒光譜(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)測量穫得:HB-LED芯片的峰值髮光波長在註入電流為2 mA至120 mA變化下藍移量小于1 nm,電緻熒光譜的半高全寬值(Full width hlf maximum,FWHM)在註入電流為20 mA時僅為18 nm.此外,還介紹瞭GaN基材料感應耦閤等離子體(Inductivelycoupled plasma,ICP)榦法刻蝕技術.攷慮實際需要,本文作者開髮瞭AlGaN/GaN異質材料的非選擇性刻蝕工藝,原子力顯微鏡(Atomic force microscope,AFM)觀察得到AlGaN/GaN刻蝕錶麵均方根粗糙度RMS僅為0.85nm,與外延片的錶麵平整度相噹.還穫得瞭AlGaN/GaN高選擇比的刻蝕技術,GaN和AlGaN的刻蝕選擇比為60.
통과대담화가(Gallium nitride,GaN)기람색고량도발광이겁관(High brightness light emitting diode,HB-LED)재료금속유궤기상외연(Metal organic vapor phase epitaxy,MOVPE)생장기술적연구화우화이급재유원구내인입신형InxGa1-xN/GaN다양자정(Multiple quantum wells,MQWs)결구,획득료고성능적HB-LED외연편재료.고분변솔X사선연사(High resolution X-ray diffraction,HR-XRD)화변온광치형광보(Temperature dependent photoluminescence spectra,TD-PL Spectra)측량표명외연재료적이질계면두초,단정질량우이,병유변주입전치형광보(Injection dependent electroluminescence spectra,ID-EL spectra)측량획득:HB-LED심편적봉치발광파장재주입전류위2 mA지120 mA변화하람이량소우1 nm,전치형광보적반고전관치(Full width hlf maximum,FWHM)재주입전류위20 mA시부위18 nm.차외,환개소료GaN기재료감응우합등리자체(Inductivelycoupled plasma,ICP)간법각식기술.고필실제수요,본문작자개발료AlGaN/GaN이질재료적비선택성각식공예,원자력현미경(Atomic force microscope,AFM)관찰득도AlGaN/GaN각식표면균방근조조도RMS부위0.85nm,여외연편적표면평정도상당.환획득료AlGaN/GaN고선택비적각식기술,GaN화AlGaN적각식선택비위60.
