半导体学报
半導體學報
반도체학보
CHINESE JOURNAL OF SEMICONDUCTORS
2004年
10期
1296-1300
,共5页
6H-SiC%PMOSFET%源漏串联电阻%解析模型
6H-SiC%PMOSFET%源漏串聯電阻%解析模型
6H-SiC%PMOSFET%원루천련전조%해석모형
在考虑源漏串联电阻的基础上,建立了一组适用于SiC PMOSFET的解析模型.计算结果与实验结果符合得很好.
在攷慮源漏串聯電阻的基礎上,建立瞭一組適用于SiC PMOSFET的解析模型.計算結果與實驗結果符閤得很好.
재고필원루천련전조적기출상,건립료일조괄용우SiC PMOSFET적해석모형.계산결과여실험결과부합득흔호.