用分子束外延制备红外锑化物激光器和探测器材料
용분자속외연제비홍외제화물격광기화탐측기재료
MBE GROWN ANTIMONIDE MID-INFRARED LASERS AND PHOTODETECTORS
  • 万方数据
    材料研究学报 재료연구학보
    CHINESE JOURNAL OF MATERIALS RESEARCH
    2001年 1期 29-32 ,共4页

    李爱珍%郑燕兰%林春

    리애진%정연란%림춘

    中红外%锑化物%分子束外延 中紅外%銻化物%分子束外延
    중홍외%제화물%분자속외연
    用固态源分子束外延方法,在GaSb衬底上成功地生长出四元系III-V族锑化物单层、多量子阱和激光器、探测器结构材料,并用这些材料制备了2μm波段室温准连续脊波导AlGaAsSb/InGaAsSb多量子阱.
    용고태원분자속외연방법,재GaSb츤저상성공지생장출사원계III-V족제화물단층、다양자정화격광기、탐측기결구재료,병용저사재료제비료2μm파단실온준련속척파도AlGaAsSb/InGaAsSb다양자정.
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