CAJ | 학술논문

万方数据

液晶与显示 액정여현시
CHINESE JOURNAL OF LIQUID CRYSTALS AND DISPLAYS
2000年 4期 250-254 ,共5页

刘传珍%杨柏梁%张玉%李牧菊%吴渊%廖燕平%王大海%邱法斌%李轶华%黄锡珉

류전진%양백량%장옥%리목국%오연%료연평%왕대해%구법빈%리질화%황석민

金属诱导晶化%多晶硅薄膜%退火金屬誘導晶化%多晶硅薄膜%退火
금속유도정화%다정규박막%퇴화

利用金属诱导晶化（Metal Induced Crystallization， MIC）的方法研究了a-Si/Ni的低温晶化， MIC的晶化温度降低到440℃。采用XRD、 Raman、 SEM和XPS等手段研究了Ni-MIC多晶硅薄膜的特性，分析了薄膜结构和组成，讨论了晶化过程的机理。
이용금속유도정화（Metal Induced Crystallization， MIC）적방법연구료a-Si/Ni적저온정화， MIC적정화온도강저도440℃。채용XRD、 Raman、 SEM화XPS등수단연구료Ni-MIC다정규박막적특성，분석료박막결구화조성，토론료정화과정적궤리。