AlxGa0.51-xIn0.49P光学性质的研究
AlxGa0.51-xIn0.49P광학성질적연구
Study on Optical Properties of AlxGa0.51-xIn0.49P
  • 万方数据
    半导体光电 반도체광전
    SEMICONDUCTOR OPTOELECTRONICS
    2000年 2期 111-114 ,共4页

    连洁%张淑芝%卢菲%魏爱俭%黄伯标%崔德良%秦晓燕%王海涛

    련길%장숙지%로비%위애검%황백표%최덕량%진효연%왕해도

    半导体薄膜技术%椭偏光谱%三点比例内插%能带隙 半導體薄膜技術%橢偏光譜%三點比例內插%能帶隙
    반도체박막기술%타편광보%삼점비례내삽%능대극
    用MOCVD方法在GaAs衬底上生长了AlGaInP的本征及掺Si或掺Mg三个样品.用椭偏光谱法测量了样品在室温下可见光区的光学常数,并求其介电函数的三级微商谱.用三点比例内插法分析介电函数的三级微商谱,精确地得到样品的带隙Eg、Eg+Δ0以及 Eg以上成对结构跃迁的能量位置,并对其结果加以分析.同时与沟道分析等方法相结合对材料的性能进行了鉴定.
    용MOCVD방법재GaAs츤저상생장료AlGaInP적본정급참Si혹참Mg삼개양품.용타편광보법측량료양품재실온하가견광구적광학상수,병구기개전함수적삼급미상보.용삼점비례내삽법분석개전함수적삼급미상보,정학지득도양품적대극Eg、Eg+Δ0이급 Eg이상성대결구약천적능량위치,병대기결과가이분석.동시여구도분석등방법상결합대재료적성능진행료감정.
    원문보기 원문다운로드 사이트로이동
저자의 최근 논문