物理学报
物理學報
물이학보
2000年
5期
983-988
,共6页
刘明%王子欧%奚中和%何宇亮
劉明%王子歐%奚中和%何宇亮
류명%왕자구%해중화%하우량
用PECVD薄膜沉积方法,成功地制备了磷掺杂纳米硅(nc-Si:H(P))薄膜.用扫描隧道电镜(STM)、Raman散射、傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱、电子自旋共振(ESR)、共振核反应(RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析,确认了样品的微结构为纳米相结构.掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小,一般在2.5-4.5nm之间,且排列更加有序.掺磷nc-Si:H膜具有较高的光吸收系数,光学带隙在1.73-1.78eV之间,和本征nc-Si:H相同.掺杂nc-Si:H薄膜电导率在10-1-101Ω-1·cm-1之间,比本征nc-Si:H提高了二个数量级,室温暗电导最高已达50.5Ω-1·cm-1.同时电导激活能在0.01-0.03eV之间,比本征nc-Si:H进一步降低.
用PECVD薄膜沉積方法,成功地製備瞭燐摻雜納米硅(nc-Si:H(P))薄膜.用掃描隧道電鏡(STM)、Raman散射、傅裏葉變換紅外吸收(FTIR)譜、電子自鏇共振(ESR)、共振覈反應(RNR)技術對摻燐納米硅進行瞭結構分析,確認瞭樣品的微結構為納米相結構.摻燐後膜中納米晶粒的平均呎吋d減小,一般在2.5-4.5nm之間,且排列更加有序.摻燐nc-Si:H膜具有較高的光吸收繫數,光學帶隙在1.73-1.78eV之間,和本徵nc-Si:H相同.摻雜nc-Si:H薄膜電導率在10-1-101Ω-1·cm-1之間,比本徵nc-Si:H提高瞭二箇數量級,室溫暗電導最高已達50.5Ω-1·cm-1.同時電導激活能在0.01-0.03eV之間,比本徵nc-Si:H進一步降低.
용PECVD박막침적방법,성공지제비료린참잡납미규(nc-Si:H(P))박막.용소묘수도전경(STM)、Raman산사、부리협변환홍외흡수(FTIR)보、전자자선공진(ESR)、공진핵반응(RNR)기술대참린납미규진행료결구분석,학인료양품적미결구위납미상결구.참린후막중납미정립적평균척촌d감소,일반재2.5-4.5nm지간,차배렬경가유서.참린nc-Si:H막구유교고적광흡수계수,광학대극재1.73-1.78eV지간,화본정nc-Si:H상동.참잡nc-Si:H박막전도솔재10-1-101Ω-1·cm-1지간,비본정nc-Si:H제고료이개수량급,실온암전도최고이체50.5Ω-1·cm-1.동시전도격활능재0.01-0.03eV지간,비본정nc-Si:H진일보강저.
