固体电子学研究与进展
固體電子學研究與進展
고체전자학연구여진전
RESEARCH & PROGRESS OF SOLID STATE ELECTRONICS
2003年
2期
202-204,245
,共4页
李拂晓%蒋幼泉%陈继义%钮利荣%高建峰%邵凯%杨乃彬
李拂曉%蔣幼泉%陳繼義%鈕利榮%高建峰%邵凱%楊迺彬
리불효%장유천%진계의%뉴리영%고건봉%소개%양내빈
高成品率%砷化镓%单片开关
高成品率%砷化鎵%單片開關
고성품솔%신화가%단편개관
采用砷化镓76 mm 0.7 μm离子注入MESFET工艺技术研制出手机用砷化镓DPDT单片射频开关(以下简称单片开关). 该单片开关面积1 310 μm×1 250 μm,总栅宽36 mm,工作频率DC～2 GH z,1 GHz下插入损耗IL小于0.52 dB,隔离度ISO大于17 dB, 驻波V SWR≤1.3, 2 GHz下IL小于0.7 dB,ISO大于11 dB,驻波≤ 1.3, 反向三阶交调PTOI优于64 dBm,1 W射频信号下的栅漏电小于20 μA .连续五批共60片的统计结果表明,该单片开关圆片上芯片的直流成品率最低84%,最高96% ;微波参数成品率在75%～86%之间,代表着国内GaAs单片电路成品率的最高水平.
採用砷化鎵76 mm 0.7 μm離子註入MESFET工藝技術研製齣手機用砷化鎵DPDT單片射頻開關(以下簡稱單片開關). 該單片開關麵積1 310 μm×1 250 μm,總柵寬36 mm,工作頻率DC～2 GH z,1 GHz下插入損耗IL小于0.52 dB,隔離度ISO大于17 dB, 駐波V SWR≤1.3, 2 GHz下IL小于0.7 dB,ISO大于11 dB,駐波≤ 1.3, 反嚮三階交調PTOI優于64 dBm,1 W射頻信號下的柵漏電小于20 μA .連續五批共60片的統計結果錶明,該單片開關圓片上芯片的直流成品率最低84%,最高96% ;微波參數成品率在75%～86%之間,代錶著國內GaAs單片電路成品率的最高水平.
채용신화가76 mm 0.7 μm리자주입MESFET공예기술연제출수궤용신화가DPDT단편사빈개관(이하간칭단편개관). 해단편개관면적1 310 μm×1 250 μm,총책관36 mm,공작빈솔DC～2 GH z,1 GHz하삽입손모IL소우0.52 dB,격리도ISO대우17 dB, 주파V SWR≤1.3, 2 GHz하IL소우0.7 dB,ISO대우11 dB,주파≤ 1.3, 반향삼계교조PTOI우우64 dBm,1 W사빈신호하적책루전소우20 μA .련속오비공60편적통계결과표명,해단편개관원편상심편적직류성품솔최저84%,최고96% ;미파삼수성품솔재75%～86%지간,대표착국내GaAs단편전로성품솔적최고수평.
